It, л

20 W О

1,2 1,4 1,6 Ur,i

120 100

20 О

1,0 1,2 1,4 Ur,&

Рис. 17.2. Предельные характеристики открытого состояния тиристоров прн

Г, = 25 С (/) и Г, = Г, (2) а - ТО2-10, 6-ТО2-40

0,25

2 3 4 5 ti,MC

1,5 1,4 1,3 1,2 7,1 1,0 0,9 0,8

2 3 4 5 6ti,MC

Рис. 17.3. Зависимости допустимой амплитуды ударного неповторяющегося тока в открытом состоянии IjSM от дтительностн импульса t, прн 7 = 25 °С (/) и Tj = Tj (2), Ur = U: a-TO2-I0, 6-ТО2-40

Рис. 17.4. Пределыю допустимые характеристики управляющего электрода для тиристоров ТО2-10, ТО2-40

<FGMj

1,0 0,5

О 0,2 0,4 1гаы,А 345

20 40 60 -fcejmkc a.)

20 W eO (;5,mkc

Piic. 17.5 Типичные зависимости отпирающего тока управления Iqj-* от дли-а - Т02 10, б - ТО2-40

течьности импульса управ тения Iq при т =т (1), Г, = 25°С (2), т, = т,

(3), Ud = 12 В:

0,16 0,35 1гш,А

о (?,2 О,* 0,61м,Л

Рис. 17.6. Зависимости времени задержки 1,, (1) и времени включеиия ( (2) от амплитуды управляющего импутьса /рдм при Г, = 25°С, (7д = 100 В, h=lTAVnu с = 100 мкс; diQ!dt = \ А/мкс: а-ТО2-10, 6-ТО2 40

2 V 6 8IjM,A

0,9 0,6 0,3

О 10 20 30 Iuv,A

Рис. 17.7. Зависимости времени выключения 1, от амплитуды тока в открытом состоянии 1т^ущи 7]= Tj (1) и 7; = 25°С (2), dirldt= -5 А/мкс,

г/ = 100 в, [/в =0,67 с/д/гд, duDJdt = (duD!dt)

a-TO2-10, 6-ТО2-40

0,95

5 -dl/Лt,A/мкO

1,0 0,9 О,

Z ¥ -diT/di,A/MKO

Рис 17 8. Зависимости времени выктючения i, от скорости спада тока в открыточ состоянии -chjjdt прн = Tj = TAVm, Ur = IQQ В, 17д = 0,67 UpRM dupldt = {duDldt)cm а - Т02 10, б - ТО2-40

1,г

1,0 0,8

0,9 0,i

го W 60 so 100 в,в о 40 80 izono

Рис. 17 9. Зависимости времени вык тючеиия lt от обратного напряжения Ur при Tj = Tj, , 1т = 1тАУт, duo!dt = iduoldl)cn Up = 0,67 Urm, dijjdt = -5 А/мкс: а-ТО2-10, 6-ТО2-40

0,8 0,7

0,9 О,в 0,7 0,6

го ♦o(o; j,/it)crii,eA Kc

Рис. 17.10. Зависимости времеии выключения 1д, от критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянин (duDJdl) , при Г, = 7 Ur = 100 В, 1т = 1тАУт, diTJdl = -5 А/мкс, Up = 0,67 UpR а-ТО2-10, 6-ТО2 40

Рис. 17 И. Зависимости критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии (dii£i/dt) ,i от амплитуды напряжения в закрытом состоянии UpRifx при Tj = Tj , ття групп 1-3 по (duDldt\n, для тиристоров ТО2-10, ТО2-40

[d B/ttt)crt-t,B/MKC

гоо

100 60

to го

о,г 0,4 0,6 0,8 i/j 347

о 5 ID-cCij/dtA/MKC О 5 10 15-сатМ%А/мкс,

Рис. 17.12. Зависимости времени обратного восстановления t,y, от скорости спада тока в открытом состоянии-Л/-/Л при Ti=Ti Uf. = lUO В, 1т=1тАУт-а-ТО2-10; б - ТО2-40

7,20

о 5 10 15-dij/dt,А/мкс

О 5 10 15 dij/di,A/MKC

Рис. 17.13. Зависимости заряда обратного восстановлеиия Qr* скорости спада тока в открытом состоянпи difldt при Ti=T U = 100 В, 1г=1тАУт а - ТО2-10, б - ТО2-40

%h)tj a,0,f

2{th)-tjc, 0,2 С/Вт

700 7000 t,c

Рис. 17.14. Переходные тепловые сопротивления переход-корпус Z,i,-),j (4) и переход - среда Z(,/,)y3 при скоростях охлаждающего воздуха О м/с (/), 3 м/с (2)

и 6 м/с (3): а-ТО2-10 и 6-ТО2-40 (охчадитель 0241-80)

ЧАСТЬ ЧЕТВЕРТАЯ

СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПО СИЛОВЫМ ТРАНЗИСТОРАМ

РАЗДЕЛ 18

СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ТИПОВ ТК335-16, ТК335-20, ТК335-25, ТК335-32, ТК335-40, ТК435-10, ТК435-16, ТК435-20, ТК435-25, ТК435-32, ТК135-16, ТК135-25, ТК235-32, ТК235-40, ТК235-50, ТК235-63, ТК142-40, ТК142-50, ТК142-63, ТК152-80, ТК152-100

Транзисторы силовые кремниевые (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в схемах управления электроприводом и т. д.

Транзисторы серий ТК135, ТК235, ТК335, ТК435 выпускаются в фланцевом конструктивном исполнении, транзисторы серий ТК142, ТК152 - в щтыревом исполнении.

Транзисторы допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от -60 до Ч-40°С, атмосферном давлении 0,085 - 0,105 МПа, относительной влажности 98% при 35 °С.

Кли.матические исполнения и категория размещения У2, УХЛ2 по ГОСТ 15150-69 и ГОСТ 15543-70.

Транзисторы предназначены для эксплуатации во взрывобезо-пасных и химически неактивных средах, в условиях, исключающих воздействие ионизирующих излучений (нейтронного, электронного, у-из-лучения и т. д.).

Транзисторы допускают воздействие синусоидальной вибрации в диапазоне частот 1 -100 Гц с ускорением 49 м/с^ и ударных нагрузок с ускорением до 147 м/с^.

Пример записи условного обозначения транзистора щтыревого исполнения с жестким выводом, порядковым номером модификации конструкции 1, размером щестигранника под ключ 27, на максимально допустимый импульсный ток коллектора 80 А, класса 3, группы 1, климатического исполнения УХЛ, категории размещения 2 при заказе и в конструкторской документации другого изделия:

Транзистор ТК 152-80-3-1 УХЛ2

По максимально допустимому импульсному напряжению коллектор-база транзисторы делятся на восемь классов, а по напряжению насыщения коллектор - эмиттер - на три группы.

Структура условного обозначения транзистора.

tkq Р Р Р Р □ Р □

Транзистор кремниевый

Порядковый номер модификации конструкции

Обозначение типоразмера

Обозначение конструктивного исполнения корпуса

Максимально допустимый импульсный ток коллектора в амперах

Класс по максимально допустимому напряжению коллектор - база

Группа по напряжению на-сьпцения

Климатическое исполнение

Категория размещения

Класс Максимально допусти- Класс мое импульсное напряжение коллектор-база В

0,5 50 3,5

1,0 100 4,0

1,5 150 5,0

2,0 - 200 6,0

2,5 250 7,0

3,0 300 8,0

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -база, В

350 400 500 600 700 800

Группа по напряжению насыщения коллектор ~ эмиттер

Значение напряжения насыщения, В

До 0,6 (до 1,5)*

Св. 0,6 до 1 (до 2,5)*

Св. 1 до 1,5

* Значения для транзисторов серий ТК335 и ТК435.

При монтаже транзисторов на охладители значение крутящего момента для транзисторов ТК142 должно быть не менее 7±1 Н-м, для ТК152-не менее 9±1 Н-м. Монтаж транзисторов ТК135-25 и ТК235-63 производится прижатием фланца корпуса к теплоотводу с моментом затяжки винтов не менее 0,4-(-0,05 Н-м.

Предельно допустимые значения параметров транзисторов приведены в табл. 18.1, 18.3, характеризующие параметры - в табл. 18.2, 18.4, зависимости параметров от различных условий - на рис. 18.2 - 18.19, габаритные и присоединительные размеры транзисторов - на рис. 18.1

Таблица 18 1 Предельно допустимые значения параметров транзисторов

Таблица 18 2 Характеризующие параметры транзисторов

Таблица 18 3 Пределыю доплстимые значения параметров транзисторов

Параметр

А Л

от о о m

m г^ чо

Л lA г^ Л

m m m

tN (N1 rJ

Ьй til til

Максимально допустимый импульсный ток коллектора 1см, А (Гс = 85°С, /р < 10 мс, скважность 2, /д = 0,20 1см ~ яля классов 0,5 - 2, /д = 0,25 /см-для классов 2,5-6)

Максимально допустимый импульсный ток базы IgM, А (Г^ = 85°С, /р = 10 мс, скважность 2)

Максималыю допустимый постоянный ток коллектора А (Г^ = 85 °С, Ig = 0,2 /с)

Максимально допустимый постоянный ток базы 1в, А (Гс = 85°С)

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -база Ucbo, В (Tj=Tj )

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Uceo, В (/д = О, 7}=25°С, Ус£ = 0,6 f/c£o)

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Ucex, В (Ueb= - 3 В Т^=25Х, Ус£ = 0,9 VcBo)

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор - эмиттер Ucer ib - 3.4 Ом,

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база Ubo, В (Г^ = 25°С): для классов 0,5 - 2 для классов 2,5-6 Температура перехода, °С

Температура хранения, С максимально допустимая 7 , минимально допустимая 7 Крутящий момент, Н м Усилие затяжки винтов, Н м

10, 16

3,5, 5,0

32 40 50 63

10 13 16 20 25 32 40 6,5 8

10 13

40, 50, 63

10, 13 16

25, 32, 40

10, 13

50-600

30-360

45 - 540

45-540

150 -60

50 -60

80, 100

20; 25

50, 63

Коллектор

Вид

Рис. 18.1. Габаритные и установочные размеры траитисторов, мм: а-ТК135-16, TKI35-25, (> - ТК235-32, ТК235-40, ТК235-50, ТК235-63; в-ТК142-40, ТК142-50, ТК142-63, TKI52-80, ТК152-100; <-ТК335-1б, ТК335-20, ТК335-25, ТК335-32, ТК335-40, ТК435-10, ТК435-16, ТК435-20, ТК435-25,

ТК435-32