![]() |
![]() |
![]() |
|
Главная страница » Электрика в театре » Силовые полупроводниковые приборы 1 ... 29 30 31 32 33 34 35 ... 40 900 700 500 300 2 3 4 S ttMc 9) frsMjA 300\ 700 500-300
2 3 4 5ti,MC 1000 800 BOO Рис. 14.15. Продолжение: д - TC2-50, e - TC2-63, ж - TC2-80 2 3 4 5ti,MC У от, В 30 25 20 15 10 5 3Ij,A
Рис. 14.16. Предельно допустимые характеристики управляющего электрода: в-ТС2-10, ТС2-16, ТС2-25, б - ТС2-40, ТС2 50, ТС2-63, ТС2 80
I-rsM,A 110 100 90 80 70 60 130 120 110 Itsm,Л 3f0 300 ZSO ZZO IrSM-! 460 ifZO 380 340 50 100 *,MC 50 100 i,MC 50 100 i,MC IjSM, 130 120 110 100 30 80
TSM? 360 340 320 300 ZSO Z60 50 100 i,Mc ![]()
50 100-b,MC 50 100 t,MG Рис. 14.17. Зависимости допустимой амплитуды ударного неповторяющегося тока в открытом состоянии IrSM г длительиостн перегрузки ( при Г, = 25°С (/) и Tj = Tj (2): в-ТС2-10; 6-ТС2-16; в-ТС2-25, г - ТС2-40; д-ТС2-50; е-ТС2-63; ж - ТС2-80 ![]() 1 Z 4-6 8 lO-bi,MC 160 1Z0 500 300 1 г Ч- 6 8 ioti,Mc 1 г 4 s 8 10 ti,MC ![]() г 4 в 810 4 6 810t;Mc
7 2 4 5 8 10ti,MC Piic. 14.18. Зависимости допустимой амплитуды удариого неповторяюпК! ося тока в открыточ состоянии IjsM синусоидальной формы от длительиости импульса (, < 20 мс при дву хполупсриодном токе и Г, = 25°С (/), Tj = Ti , (2) <i-TC2-10, 6-ТС2-16, в-ТС2-25, г - ТС2-40, д - ТС2-50, <?-ТС2-63, .ж- ТС2-80 140 100 500 400 300 60Л 300 200 ![]() Рис. 14.19. Типичные зависимости отпирающего тока управления Iqj, от длительности импульса управления tg при 7} = 7}, , (/), Г, = 25 °С (2) Т, = Т, (3), [/-=12 В: а-ТС2-!0, ТС2-16, ТС2-25; б - ТС2-40, ТС2-50, ТС2-63, ТС2-80 1,5 1,0 о 0,2 0,f 0,61рам,А
о 0,2 0,4 0,5I,sM,A Рис. 14.20. Зависимости времени заде]ржки Ig, (1) и времени включения Ig (2) от амплитуды управляющего импульса IfQ Р Гу = 25°С, {/д = 100 В, Ij = IjRMSm, G = 50 мкс, длительности фронта управляющего , импульса 1 мкс, digldt = 1 А/мкс: а-ТС2-10, TC2-I6, ТС2-25; б - ТС2-40, ТС2-50, ТС2-63, TC2-S0 3,0 2,5 2,0 20 4 0 60 80 Tj, : 1,8 1,4 1,0 20 40 60 SO Tj,°C Рис. 14.21. Зависи\юстн критической скорости нарастания коммутационного напряжения (duj,!di) от температуры перехода Г, при Ij = IjRMSm в-ТС2-10, TC2-I6, ТС2-25; б - ТС2-40, ТС2-50, ТС2-53, ТС2-80 ![]() 0,4 0,В 0,8 UM* 1,8 1,8 1,4 1,2 1,0
0,4 0,5 0,8 aM* Рис. 14.22. Зависимости критической скорости нарастания коммутационного напряжения (duDldt)com* от приложенного напряжения Vdrm* при 1т= TjR/ifSm а-ТС2-10, ТС2-16, ТС2-25, б - ТС2-40, ТС2-50, ТС2-63, ТС2-80 (a:ua/a:t)com> 0,8 0,2 О 0,8 0,6 0,4 0,007 0,017-dij/dt, А/мкс 0,025 0,05-dir/d-t, А/мкс Рис. 14.23. Зависимости критической скорости нарастания коммутационного напряжения (du[)ldt)c m от скорости спада прямого тока -dijjdi при Т, = Tj, , 1т = iTRMSm а-ТС2-10, ТС2-16. ТС2-25. б - ТС2-40, ТС2-50, ТС2-63. ТС2-80 С/Вт В ![]() 0,1 1 °С/8т 10 100 1000 -Ь,а Рис. 14.24 ![]() 00,1 1 10 100 1000 Ь,с 2(th)tja, С/Вт ![]() 0,1 7 ю 100 mot,С Z(ih)tj с, Z(t(,)tj а, С/ВТ ![]() ft7 7 70 100 10001, С 3) 2(th)tja С/Вт ![]() ![]() 0,1 1 10 100 mot, С 2(-th)ijc, Z(th)tj a, C/Bt ![]() 0,7 7 70 .700 mot,с Ж) 0,1 1 10 100 1000 -ь, с Рис. 14.24. Переходные тепловые сопротивления переход-корпус 2(,h)i,cW и переход-среда Z(,;,)ya при скоростях охлаждающего воздуха О м/с (/), 3 м/с (2) и 6 м/с (3): в-ТС2-10, 6-ТС2-16 и в-ТС2-25 (охладитель ОА-043); г -ТС2-40, д-ТС2-50, е-ТС2-бЗ и ж - ТС2-80 (охладитель ОА-047) Таб iiiita 14 4. Предельно допустимые значения параметров симметричных тиристоров
Таблица И.6 Рекомендуемые охладители и нагрузочная способность симметричных тпристоров
14.3. ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ТИПОВ ТС80, ТС125, ТС160 Симметричные тиристоры типов ТС80, ТС125, ТС160 (ТУ 16-729.071-77) * предназначены для применения в электротехнических и радиоэлектронных устройствах общего назначения, в цепях переменного и постоянного тока. Отличительной особенностью симметричных тиристоров является способность к управлению в I и И квадрантах (при положительном напряжении на управляющем электроде). Симметричные тиристоры допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот 1 - 100 Гц с ускорением 49 м/с^ и многО' кратных ударов длительностью 2-15 мс с ускорением 147 м/с^ Тиристоры изготавливаются в штыревом исполнсннн. Предельно допустимые значения параметров симметричных тирн сторов приведены в табл. 14.7, характеризующие параметры - в табл 14.8, типы рекомендуемых охладителей и нагрузочная способность - i табл 14.9, зависимости параметров от различных условий - на рис 14 26-14.39, габаритные и прнсоедцнцтсльные размеры - на рис 14.25. * В новых разработках пе применять 11* Tao тиа 14 7 Предельно лопусгимые значения параметров симметричных тиристоров Параметр ТС80 ТС125 ТС160 Повторяющееся импульсное напряжеп1тс в закрытом состоянии VdrM в (диапазон температур от 7, , до Tj импутьсы напряжения однополупериодные си-пусоидльные, г = 10 мс, /=50 Гц, цепь управтения разомкнута) Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IfRMSiw А(Г^ = 70 С, при двусто-poinien проводимостп, угот проводимости О = 180, /=50 Гц) Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии Ijsm. а (ток сш!усот!дальный, (, = 20 мс, режим в цепи управтсппя дтптетыюсть фронта импульса 1 мкс, (Ух не менее 10 В, внутреннее сопротпвленпе нсточ пика 5 ± 1 Ом, ta не Менее 50 мкс, = 25 °С) То АС при Tj = Г Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (flij/d!) ,i, А/мкс (Tj = Tj Uj, = 0,67 Uj,rvi. < 2i/s /=1-5 Гц, дтительность воздействия 10 с, параметры источника управления, как для Ijs\i) Средняя \ющностъ потерь па управтяющем электроде Ра,у, Вт (Tj= Tj, ) Температура перехода, С максималыто допустимая Г, минимально допустимая Температура хранения, С максимально допустимая T,g, минимально допустимая T,g, , Крутящий момент, Н м 100- 1200 1320 1200 1540 1400 5-70 1760 1600 См рис 14 29 60 -50 45 + 5 Тт) тца 14 S Характеризующие параметры сим\1етричны\ тнрнсторов Параметр ТС80 ТС125 ТС160 Импутьсное напряжение в открытом состоянии Ujf, В, не ботес (Г, = 25 С, /7-= 1,41 Ijr\,s ,) Пороговое папряжеппе Ujfjoi. В, не ботее (7*,= Т^, ) Дифференцначьнос сопротивление в открытом состоянии г], мОм, ие более (7 = Т^, ) Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии drM. А, не более (7= Т} 1/д = гУдлм) Ток включения li, мА, не более (Г, = 25 С, Ud= 12 В, режим в цепи управления форма ттапряжения трапецеидальная, tg = 10 мкс, длительность фронта 1 мкс, 1\ = 10 В, внутреннее сопротивление источника 5 ± 1 Ом) Ток удержания /д., мА, не более (Г^ = 25 С, t/д = 12 В, пепь управления разомкнута) Отпирающее напряжение управления Uqj, В, не более (Ud = 12 В, ток управления постоянный, сопротивление цепи тока в открытом состоянии не ботее 10 Ом) 2,30 1,45 0,8 0,98 0,3 1,45 0,88 0,24 1 ... 29 30 31 32 33 34 35 ... 40 |
© 2000-2025. Поддержка сайта: +7 495 7950139 добавочный 133270.
Заимствование текстов разрешено при условии цитирования. |