![]() |
![]() |
![]() |
|
Главная страница » Электрика в театре » Силовые полупроводниковые приборы 1 ... 20 21 22 23 24 25 26 ... 40
При Тс = 75 °С. ** Для ТЗ-320 - 10 -14 кН. Таблица II.20. Характеризующие параметры тиристоров
8 о. Г Чебовский и др.
Продо1жепие табл 11.20
Таблица 11.21. Рекомендуемые охладители и нагрузочиаи способность тиристоров
![]() ![]() m1,m2 Рис. 11.64. Габаритные и установочные размеры тиристоров, мм: а-Т9-250, Т2-320, ТЗ-320, Т500; б - Т630, Т800, Т2-800, ТЮОО
1000 ш о гт.кА 5 * 3 г 1 о
1 г 3ur,u
![]() ![]()
7 2 J Ut,B 7 2 т,В 1,S 2,0 2,5 Uj,u 1,0 1,5 2,0 Ur, В Рис. 11.65, Предельные характеристики открытого состояния тиристоров ири Л-Т9-250; Г^=25-С (/) Tj (2): б - ТЗ-320; в - Т2-320; г - Т500; Т2-800 ; 3 - ТЮОО д-Т630, е-Т800; ж- * *i,MC ![]() ![]() r 2 30 25 Ч- ti,MC IS 10 * ti,MC 25 1 z Рнс. 11.66. Зависимости допустимой амплитуды ударного неповторяющегося тока в открытом состоянии IjsM от длительности импульса /, при Tj = 2S°C (/) и Tj = Tj (2), Ur = 0: в-Т9-250; б-ТЗ-320; - Т2-320; г - Т500; а-Т630; е-Т800; лс-ТЮОО; 3 - Т2-800 30 20 10
Рис. 11.67. Предельно допустимые характеристики управляющего электрода: я-Т9-250,Т2-320, ТЗ-320, Т500; б - Т630, Т800, Т2-800, ТЮОО
![]() 10 ZO Ч-0 60 80 100 t,MC 10 ZO 40 SO 80100 t,Mc
10 9 8 7 6 hBM,A 11 В ![]() 10 ZO 40 60 SO wot,MC 10 ZO 40 60 80100 %Mc
10 ZO 40 BO S0100 t,MC 10 20 40 60 S0100 i,MC 10 9 8 10 ZO 40 60 80100 iMC 10 ZO 40 S0 80100t,MC Рис. 11.68. Зависимости допустимой амилитуды ударного неповторяющегося тока в открытом состоянии Itsm Т длительности перегрузки / при 7 =25° С (/) и Tj = Tj (2), f/R=0,8 Urkm-а - Т9-250, б - ТЗ-320, в - Т2-320, г - Т500, д - Т630, е - Т800, ж - Т2-800; 3-Т1000 Рис. 11.69. Типичные зависимости отпирающего тока управления /(jj-, от длительности нмпульса управлении /С при Tj = Tj (/), Tj =25 С (2) и Tj = ?}, , (i), [/д = 12 В для всех типов тиристоров § 11.5 ![]() 1 г 3 4 S S10 2 3 f sieota,mc 1,0 0,8 0,6
О 0,5 7,0 7,5- ,0 ![]() ![]() Тгам,А О 1 г 3 1,ш,А 0,5 1,0 1,5 г,ог,51,а^,А Рнс. 11.70. Зависимости времеии задержки tgj, (/) и времени включения tg (2) от амплитуды управляющего импульса IfQu Р Т} = 25 С, Уд = = 100 В, 1т=1тАГт, to 50 мкс, длятельносп фровта управляющего нмпульса 1 мкс: а - Т9-250, б - ТЗ-320, в - Т2-320, Т500, г - Т630, Т800, Т2-800, ТЮОО 1,05 1,0 О 0,50,751,0 1,25 Ij О 0,2 0,5 1,0 Ij 0,2 0,6 1,0 Ir 9* 1,0 0,95 0,3 0,25 0,8 Ч* 1,0 0,95 о 0,2 0,4 0,6 0,8 Ij 1,0 Хт 0,2 0,6 1,0 Хт* я tg, от амплитуды тока в открытом Рис. 11.71. Зависимости времени выкл состоянии Ij, при Tj = Tj , dirldt =-5 А/мкс, [/j; = 100 В, (7д=0,67 С/длл/. duoldt = (duoldi)cr а - Т9-250; б - ТЗ-320, в - Т2-320, Т500; г - Т630; д - Т800, Т2-800; е - ТЮОО 1,0 0,8 1,05 1,00 0,35 0,30 1,0 0,8 0,6 О 5 10-iiij/iH,A/mz О 5 10-itir/d.i,A/mz О 5 10-oCiT/ii-t,A/mc Рис. 11.72. Зависимости времени выключения tq, от скорости спада тока в открытом состоянии -dirldt при Т =Tj , 1т = 1тАУт, UR = m в, (7д=0,67 UoRM. duoldt = = {duoldt)cnr-а - Т9-250, Т2-320, Т500; б - ТЗ-320; в - Т630, Т800; г-Т2-800, ТЮОО д 5 10 -oLlr/i%A/mz 0,3 0,8 0,7 0,5 0,5 1,0 0,9 0,8 0,7 0.6 о гоо ШiLaj,/iit,B/MKc О 200 400 dUj,M%В/мкс Рис. 11.73. Зависимости времени вьжлючения tg, от скорости нарастания иапряжепия в закрытом состоянии dupldt ири Tj=Tj , Ur = V)0 В, Ij-= = 1гАУт, dirldt = -5 А/мкс, 1/д =0,67 Udrm-а - Т9-250, ТЗ-320, Т2-320, Т500; б - Т630, Т800, Т2-800, ТЮОО ![]() о W 80 120 Уд,В а) О 40 80 120 160 Ug, В в) ![]() О 40 80 120 Uk,B г) . 1,0 0,8 О 25 50 75 100 U.,B 5) ![]() О 50 100 150 t/?,S Рис. 11.74. Зависимости времеии выключения от обратного напряжения Ur при Tj = Tj , 1т = 1тАГт. duo/dl ={duold,) , Up =0,61 UoRM, diTJdt = -5 А/мкс: а-Т9-250, б-ТЗ-320; в-Т2-320; г - Т500; <) - Т630, Т800, Т2-800, ТЮОО ![]() 4 8 72-об£,-/Й,А/мкс О а) гО-1Ит/(И,А/мкс ![]() 8-oLCr/cU: А/мкс Рис. 11.75. Зависимости заряда обратного восстановления Qm от скорости спада тока в открытом состоянии -dipldt нри Tj = Tj , Ur = 100 В: а-Т9-250, ТЗ-320, Т2-320, Т500; б - Т630, Т800; в - Т2-800, ТЮОО; I-1г=0,5 1тАУт\ 2-1т=1тАУт; 3-1т=\,5 IpAVm J. I- 2,0 1,S 1,2 0,8 0Л -dij/di Arr ![]() ![]() 0 4 8 1Z-di.T/di:,A/MK 0 10 20 ЫСт/М,А/тс 0 4 5-йг/**,А/мкс Рис. 11.76. Зависимости времени обратного восстановления 1 , от скорости спада тока в открытом состояния -dirldt при Т, = Т. , t } = 100 В: u-T9-250, ТЗ-320, Т2-320, Т500, б - Т630, Т800, в - Т2-800, ТЮОО, I-/Г = 0,5 IrAVm. 2 - 1г'=1тАГп,. 3 - Гг= 1,5 ГгАУп, ![]() 1000 0,5 0,7 0,9 t/pRMjf 0,4 0,8 1,2 Um*
Рис. 11.77. Зависимости критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии {du£,ldt\rit от амплитуды напряжения в закрытом состоянии VdRM, при Tj = Tj группы 1-6 по (duDldt)c , а-Т9-250, Т2-320, Т500, б-ТЗ-320, в - Т630, Т800, Т2-800, ТЮОО Г (tb)tjc, 008 (th)tja С/Вт 0,02 - 0,01 о ![]() t- %005 0,41 О 0,3 0,2 10 100 1000 *,с 0,1 1 Рис. 11.78 8,001 0,01 i,C ![]() 100 1000 i,C 1 ... 20 21 22 23 24 25 26 ... 40 |
© 2000-2025. Поддержка сайта: +7 495 7950139 добавочный 133270.
Заимствование текстов разрешено при условии цитирования. |