Главная страница » Электрика в театре » Силовые полупроводниковые приборы

1 ... 8 9 10 11 12 13 14 ... 40

5.4. ДИОДЫ ТИПОВ BIO, В25, В50, В200, В320

Диоды типов В10, В25, В50, В200, В320 (ТУ 16-529.765-73) * предназначены для электротехнических и радиоэлектронных устройств в цепях постоянного и переменного тока частотой до 500 Гц.

Диоды выпускаются в климатических исполнениях УХЛ и Т, категории размещения 2 по ГОСТ 15150-69 и ГОСТ 15543-70 и допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от -60 до -1-45 °С. Диоды допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот 1 - 100 Гц с ускорением 49 м/с2 и многократных ударов длительностью 2 - 15 мс с ускорением 147 м/с2.

Анодом диодов является гибкий вывод, катодом - медное основание.

Предельно допустимые значения параметров диодов приведены в табл. 5.10, характеризующие параметры - в табл. 5 11, типы реко-Таблща 5 10 Предельно допустимые значения параметроэ диодов

Параметр

В200; В320

Повторяющееся импульсное обратное

150-

-1600

напряжение Urrm, В (диапазон темпера-

тур от Tj , до 7 , импульсы напряже-

ния однополупериодные синусоидальные

Г= 10 мс, /= 50 Гц)

Максимально допустимый средний пря-

200;

мой ток IfAVm. А (Гс = 100° С, ток од-

нолупериодный синусоидальный, угол

проводимости Р = 180°, /=50 Гц)

Действующий прямой ток IpRMS А

320,

(/=50 Гц)

Ударный неповторяющийся прямой ток

0,99

FSM (° однополупериодный си-

нусоидальный, одиночный импульс г = 10 мс.

Ur = 0, Tj = 25-С)

То же при Tj = Tj

0,55

Температура перехода, °С:

максимально допустимая минимально допустимая 7, ,

Температура хранения, °С:

максимально допустимая Tigm минимально допустимая Ts,g

Крутящий момент, Н м

140 -50*

60 -50* 10 40

50; 60

Для В200 - минус 60 °С.

мендуемых охладителей и нагрузочная способность диодов - в табл. 5.12, зависимости параметров от различных условий - на рис. 5.22 - 5.27, габаритные и присоединительные размеры диодов - на рис. 5.21.

В новых разработках не применять.



,mi\m2


Рис. 5.21. Габаритные и установочные размеры диодов В10, В25, BSO, В200,

В320, мм

В320.

030,5

035,5

045,5

Е

М

14,5

О

100 + 10

125 + 12

150 + 15

250 + 25

250 + 25

Т

04,3 + 0.3

06,4+0.36

08,4 + 0,36

01О,5+О.

01О,5+О.

М20 X 1,5

М20 X 1,5

МЗО X 1,5

80 60 40 20 О

гоо


300 200 100

1,0 2,0 Uf,B 0,5 1,0 1,5 Up,В

0,5 W 1,5 2,0 Up,В

Рис. 5.22. Предельные прямые характеристики диодов при Tj =

= 25°С (/) и Т,= = Tj , (2): а-В10; 6-В25; в-В50;г-В2ОО;д-В320



эоа

800 700 600 500

ч

О г Ч s)6 t{,MC 8 i-


>

2 /ff ti,MC 0 2 4 8)B ti.MC 0 2 Ч г) б ti.MC

Рис 5.23. Зависимости допустимой амплитуды ударного неповторяющегося тока Ifsm от длительности импульса (, прн 7} = 25 °С (/) Tj= Tj (2),

а - BIO; б - В25; в - В50; г - В200, В320

150.

да го но 6080 ±,мо

700 600 500

400 300 200

1

. 2

10 20 40 60 80 t,MC

1700 1500 1300 1100 300 700 500

10 го 40 60 80 t, т

3400

2400

1400 900

10 20 40 6080 t,MC

Рнс. 5.24. Зависимости допустимой амплитуды ударного неповторяющегося тока IfSM от длительности перегрузки t прн 7} = 25 °С (/) и 7 = 7} (2), l i=0,8 Urrm, f = 50 Гц: а - BIO; б - В25; в - В50; г - В200, В320



1, 2.3 5Г

048 /2-dip/dt, Л/мкс О Ч в 1Z-iUit,l\jmz

1 2;

1 2 3


08 12-с11р/й,Л/мкс

О 5 10 15-dif/d.-t,ftlm О 10 ZO-±ifjit,!\lz

Рис. S.25. Зависимости времени обратного воссгавовлепия rr от скорости спада прямого тока -dlfldt при Г, = =100 В:

я-ВЮ; 6-В25; в - В50, г - В200; д - В320, /-/f=0,5 1рАУт; 2-1р=1рАГт, 3-1р= 1,5 IpAVm

80 ВО 40 20

1? ч

12 1 1 -1


1 23

0 4 8 12-iilit,я1шс О 4 8 12-d.if:/dt,fl/mc О 10 20-ilip/c(t,/l/MKC

flrr,MKK/i


1 2 3

г

1/мкс

Рис. S.26. Зависимости заряда восстановления Q от скорости спада прямого

тока -dipldt при Tj = Гу , IZ/j = 100 В: а-ВЮ; б-~В25; в - В320; г-В200; д - В50; 7 = 0,5 -..jKm; 2-1р = = f.Cm; 3- 1р= 1,5 /f.,jKm



1,г

а,в о, в о л

о

0,001 0,01 0,1

г

Z(thHjcfC/BT 0,5

0,4 0,3 0,2 0,1 О

0,001 0,01 0,1

Zc-th)th?c/BT 0,0В

0,05

от о,ог

0,001 0,01 0,1

JC >

0,8 0,4 0,2 О

0,001 0,01 0,1 1 10 t,C V

Z(+)I)tjcfC/BT 0,1Z

10 t,c

0,DB 0,08 0,04 0,02 0

0,00i 0,01 0,1

10 t,c

10 t,c

1 10 t,c

Рис. S.27. Переходные тепловые сопротивления переход - корпус Zqi,,j: а - В10; 6 - В25; в - В50; г - В200; д - В320



Таблица 5 11 Характеризующие параметры днодов

Параметр

В200; В320

Импульсное прямое напряжение Ufm, В,

1,35

1,35

1,35

1,35,

не более (Tj = 25C, 7=3,14 IpAVm)

1,60

Пороговое напряжение У(тО} В.

0,92;

более (Tj = TjJ

1,08

Дифференциальное сопротивление rj-,

12,7

2,54

0,684,

мОм, не более (7} = 7))

Повторяющийся импульсный обратный

0,50

к Irrm. А, не более (Tj=Tj

Vr = Vrr/j)

Заряд восстановления 2,. мкКл, не

300;

более (Tj=Tj , 1р=1рАГт, Ur =100 В,

difldt = - 5 А/мкс, t, > 50 мкс)

Время обратного восстановления ! ,

мкс, не более (условия как для Q )

Тепловое сопротивление переход-корпус

0,13;

Rilijc, °С/Вт, не более (постоянный ток)

0,09

Вероятность безотказной работы за

0,97

10000 ч

Масса, кг, не более

0,045

0,084

0,19

0,46; 0,8

Таблица 5.12. Рекомендуемые охладители и нагрузочная способность диодов

Тип диода

Тип охладителя

IpAVm. А, при Г„ = 40°С и

R,hch °С/Вт

естественном охлаждении

скорости воздуха 6 м/с

ОМ-001

0,05

ОМ-002

0,04

ОА-049

0,03

O17I-80

0,02

ОА-016

0,01

5.5. ДИОДЫ ТИПОВ В2-320, В500, В800, 82-1600

Диоды (ТУ 16-529.903-74)* предназначены для применения в статических преобразователях электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок частоты до 500 Гц.

Диоды выпускаются в климатических исполнениях У, категории размещения 2 и Т, категории размещения 3 (В2-1600, кроме того, ХЛ2) по ГОСТ 15150-69 и ГОСТ 15543-70 и допускают эксплуатацию при температуре окружающей среды от -50 (-60 для В2-1600) до -Ь45°С. Диоды допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот 1-100 Гц с ускорением 49 м/с^ (9,8 м/с2 для В2-1600) и много-

* В новых разработках не применять.



Табтца 5.13 Предельно допустимые значения параметров диодов

Параметр

В2-320

В2-1600

Повторяющееся импульсное обратное

150-

150-

150-

300-

напряжение Urrm. В (диапазон темпе-

4000

3800

2400

1600

ратур от 7) , до Tj , импульсы на-

пряжения однополупериодные синусои-

дальные ( = 10 мс, /= 50 Гц)

Максимально допустимый средний пря-

1600*

мой ток IpAVm А (Гс=100°С, ток од-

нополупериодный синусоидальный, угол

проводимости р = 180°, /=50 Гц)

Действующий прямой ток IpRMS, А

1260

2500

(/=50 Гц)

Ударный неповторяющийся прямой ток

15,0

28,0

FSM кА (ток однополупериодный сину-

соидальный, одиночный импульс ( = 10 мс,

Ur = 0, Tj = 25 °С)

То же при Tj = Tj

7,15

16,5

31,0

Температура перехода, °С:

максимально допустимая Tj

минимально допустимая Г, ,

Температура хранения, °С:

максимально допустимая Tsig

минимально допустимая Tigmin Осевое усилие сжатия, кН

. -50

10 ±2

15 + 2

15 + 2

24 + 2

При Тс = 125 °С.

Таблица 5.14. Рекомендуемые охладители и нагрузочная соособаость диодов

Тип диода

Тип охладителя

Та = 40 °С и скорости воздуха 6 м/с

R,Uch, С/Вт

В2-320

ОА-026

0,01

0243-150

0,01

0243-150

0,01

В2-1600

0153-150

1000

0,005

кратных ударов длительностью 2 - 15 мс с ускорением 147 м/с2.

Предельно допустимые значения параметров диодов приведены в табл. 5.13, характеризующие параметры - в табл. 5.15, типы рекомендуемых охладителей и нагрузочная способность диодов - в табл. 5.14, зависимости параметров от различных условий - на рис. 5.29 - 5.34, габаритные и присоединительные размеры диодов - на рис. 5.28.




Рис. 5.28. Габаритные и установочные размеры диодов: а-В2-320, В500, В800, 6 -В2-1600, мм

В2-320

В500, В800

В2-320

В500, В800

030+ 1

040 + 1

02,7

031 + 1

046 ± 1

1,3+0.2

13+0,2

А

19 + 1

22 + 1

г

;р,кл в

ч

3 2 1 О

ч

у

>

Г

О 1 г 3 и,:,Ъ о 2 3 Цр,В 0,5 1,5 2,5 Цр,В

А

у

1,0 1,г 1,4 1,6 цр, В

Рис. 5.29. Предельные прямые характеристики диодов при Tj = 25 °С (/) и

Tj = Tj , (2)

а-В2-320, 6-В500 в - В800, г-В2-1600



72 10 8

е



Рис. 5.30. Зависимости допустимой амплитуды ударного иеповторяющегося тока IfSM от ллн-тельности импульса (, при 7) =25 С (У) и Tj = Tj , (2) Uk=0: а - В2-320, б - В500, в - В800, г - В2-1600

W 20 40 80 80 t,MC 10


20 40 60 100t,MC 10 ZD 40 60 WOt,MC

22 20 18

18 14 12


10 го 40 80 100i,MC

Рис. 5.31. Зависимости допустимой амплитуды ударного неповторяющегося тока Ifsm от Яли-тельности перегрузки ( при 7)=25°С (/) и Tj = Tj (2) t/r =0,8 Urrm / = so Гц: a - B2-320, б - B500, в - B800, г - В2-1600


1 2 3

О 10 ZO-dif/it/JHM О 10 20-dif:/d-t,l\JMKC О 10 20-difjd±,8Jmz

Рис. 5.32. Зависимости времени обратного восстановления 1,, от скорости

спада прямого тока -dif/dl при Tj = Т Ur = 100 В: а-В2-320, 6 -В500, В800, в - В2-1600, -=0,5 IfAVm, - f= IpAVm,

3 - 1,5 IpAVm




г


20 30-dif/dt,fl/MKC О Ю 20 30-dif:jd.i,HjnKC О 10 20-difl(tt,AJnK

Рис. 5.33. Зявисимосги заряда восстановления 2 , от скорости спада прямого

/Л при TjTj, , в-В2-1600, I-

тока -dipjdt при = Tj, , Ur = 100 В: а-В2-320, 6-В500, В800, в-В2-1600, -=0,S IpAVm 2 - 1р= IpVm,

0,5 0,5 0,V 0,3 0,2

0,J О

- 0,02 D,Df О

0,001 0,01 t,c

Z(+hHjc,Z(th)tja,°C/BT

- 0,W5 0,0/

- 0,05 0

0,001 0,01 t,c


1 10 2) 100 1000 t,c

0,30 0,25 0,20 0,15 0,10 0,05

0 0,1

c,Z(th)t 0,OIS 0,01

001 0

01 t,

с

у

3 if

5) ffiO /ООО t,c

/00 7000 t,C


Рис. 5.34. Переходные тепловые сопротивления переход - корпус Z,f,),jc (5) и переход-среда Z при скоростих охлаждающего воздуха О м/с (/),

3 м/с (2), 6 м/с (J) и 12 м/с (4): а-В2-320 (охладитель ОА-026), б - В500 (охладитель 0243-150), в - В800 (охладитель 0243-150), г-В2-1600 (охладитель 0353-150)



1 ... 8 9 10 11 12 13 14 ... 40

© 2000-2025. Поддержка сайта: +7 495 7950139 добавочный 133270.
Заимствование текстов разрешено при условии цитирования.