Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при t/оБР - 0. /и ~ 10 мс,

Гп = +110Х....................................................... 1000 А

Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при (/х.и ~ зс,п

/ос и = 2/ос,CP МАКС. f= 1 Гц, dl/dt- 2 А/мкс,

д^ 20 мкс, 7п = +110Х..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +110 X

Температура корпуса.......................................... -60...+70 X

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы длл подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 300 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /оси = 3,14/ос,CP,МАКО /и = 10 мс,

Гп = +25 X, не более........................................ 1,55 В

Отпирающее посЪянное напряжение управления при (/зс 12 В, Гп = +25 X,

J- от ~ 80 мА, не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при (/з(- и = i4c.n. ~

Гп = +110 X, не более........................................ 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при УоБР,и= MjbP.n. у = . Гп=+110Х,

не более............................................................. 6 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при 6/зс = 12 В, Гп = +25 X, не более................. 80 мА

Время включения при с. и ~ 300 В,

4с. и ~ 4с. СР. макс пр, и ~ 4 А,

dkf/dt= 5 А/мкс, dloc/dt= 25 А/мкс,

ty - 10 мкс, / п = +25 X, не более....................... 10 мкс

25 25

15.5

Время выключения при 6/-, и ~ 0,67Узс dU.Jdt {dU,/dt)p. Уоьр, = 100 В, /ос и = /осср,макс, о'/ос/0?= 25 А/мкс, (а'/ос/£/Г)сп = 5 А/мкс, Гп = +125 С,

не более............................................................. 100 мкс

Общая емкость, не более.................................... 20 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,4 °С/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12Узс,п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7Узс п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0.5(4с.п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400...1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1.12(бр,п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,764бР,п

Постоянное обратное напряжение..................... O.Step.n

Критическая скорость нарастания напряженил Б закрытом состоянии при Узе и 0,67(4г п

= Гп = +110°С.......................................... 20... 100 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

прн50 Гц. р = 180, Т; =+70 С................... 63 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом

состоянии прн Уобр О 1i ~ Ю мс,

Гп+ПОХ....................................................... 1200 А

Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при Узе, и - ЗС.Пг

1(х и = 2/ос.ср,нАкс- f= 1 Гц, dly/dt= 2 А/мкс,

t, = 20 мкс, Гп = +110 С..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +110 С

Температура корпуса.......................................... -60...+70 X

МДТО80

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 300 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в ожрытом состоянии при /ос и = 3,144(. СР.МАКС- й = 10 мс,

Г, =+25 X, не более......................................... 1,5 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при Узе = 12 В, Гп = +25 X,

01 ~ 80 мА, не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Уэс. и П ~

Гп = -Hi 10 X, не более................................... 6 мА

МДТ080

25 25

1ЩГ2 I-04

Повторяющийся импульсный обратный ток

при УоБР.И- ОБР П> Гп = +110Х,

не более............................................................. 6 мА

Отпирающий постоянный тОК управления

при Узе = 12 В, Гп = +25°С, не более................. 80 мА

Время включения при Lc и ~ 00 В,

/ос и ~ 4с СР. МАКО ПР и ~ 4 А,

dfy/dt= 5 А/мкс, dfoc/dt= 25 А/мкс,

Гу = 10 мкс, Гп = +25 X, не более....................... 10 мкс

Время выключения при (4г и = 0,676/, п< dUc/dt ldU,/dt)p. УобР и = 100 В, 4с.и = 4<: СР МА с- ctfoc/C?= 25 А/мкс, (tf4c/tf0cn = 5 А/мкс, Гп = +125Х,

не более............................................................. 100 мкс

Общая емкость, не более.................................... 20 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,36 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии ........................................ 1,12/А(; п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7i/j(-,n

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5i/j(.,n

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12£4брп

рабочее импульсное обратное напряжение....... 0.7t/o6P.n

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5Ц,ер п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и ~ 0,67Uj(. р.

/? = оо, Гп + ПСС........................................... 20...100 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при/= 50Гц, [з-180% Гк = +70Х................... 80 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uqp = о, /и = Ю мс,

Гп = + пох....................................................... 1350 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при i/jr и ~ зс п-/оси = 2/ос CP МАКО f= 1 Гц. dydt 2 А/мкс,

ty = 20 мкс, 7п = +110 С..................................... 100 А/мкс

Температура перехода ....................................... +110 X

Температура корпуса.......................................... -60...+70 X

МДТО100, МДТ0125, МДТО160

Модули силовые полупроводниковые на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода p~fj и оптотиристора р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения полупроводниковых элементов приводится на корпусе.

Масса не более 500 г.

16-1723

МДТОЮО. МДТ0125. МДТОШ

25 25 15.5

- Ф

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при 4с и - 3,14/о(- ср.мАКс. - 10 мс,

не более............................................................. 1,75 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при i/jc = 12 В, qj = 80 мА,

не более............................................................. 2,5 В

Неотпирающее постоянное напряжение управления при i/jc и ~ п. /п ~ +100 °С,

не менее............................................................. 0,9 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Цзсч - ЦзсП ~ Гп = +100Х,

не более............................................................. 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

РИ ОоБР. и = ОБР, /?У - = +100

не более............................................................. 6 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при Wic ~ 12 В, не более.................................... 80 мА

Время включения при (c и ~ 100 В,

4с, и = 4с, СР, МАКС, не более................................... 10 мкс

Бремя выключения при Узе и 0.67 m dU/dt 100 В/мкс, УобР.и = 100 а 4г и = 4с гР МАКС, {dloJdt)ax = 5 А/мкс,

Гп =+100 Х.ие более........................................ 100 мкс

Сопротивление изоляции оптопар модуля,

не менее............................................................. 1000 МОм

Сопротивление изоляции основания модуля

(при нормальных условиях), не менее................ 40 МОм

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,15 С/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импулосное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400...1600 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12У,(- п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,8Узг,п

Максимально допустимое постоянное напряжение в закрЬ|Том состоянии............................. 0,75У^г п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1600 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12б{,ьр.п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,8Уобр п

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение.................................................. 0,75Уо5р

Максимальное напряжение'изоляции основания модуля....................................................... 2500 В

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uc и ~ 0,67л.

= ТОО мкс, /?у = -о, 7;, = +100 С..................... 100 в/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при =50 Гц, Р = 180% Гк = +70 С:

МДТОЮО...................................................... 100 А

МДТ0125...................................................... 125 А

МДТО160...................................................... 160 А

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при /= 50 Гц, Гк = +70 X:

МДТОЮО...................................................... 160 А

МДТ0125...................................................... 200 А

МДТОЮО...................................................... 250 А

16* 483

Ударный неповторяющийся ток в открытом

состоянии при Уобр = О- Ю мс,

7-, =+100 X:

МДТОЮО...................................................... 2 кА

МДТ0125...................................................... 2,5 кА

МДТО160...................................................... 3,2 кА

Максимально допустимый постоянный ток

управления ......................................................... 100 мА

Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при (Ac.rt - 0.67Узс riF

/ос и ~ 2/ог,ср,мАкс- /~ 1---5 Гц,

пр и = 400...600 мА, Гу = 50 мкс,

Гп = +100Х....................................................... 70 А/мкс

Температура перехода....................................... +100 X

Температура корпуса.......................................... -60...+70 X

4.6. Модули оптотиристорио-диодиые МТОД40

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристора р-п-р-п и диода р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводь) для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 300 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и ~ 3,14/ос,ср,мАкс, = Ю мс,

Гп = +25 X, не более ......! ,............................... 1,45 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при Уэс = 12 В, Гп = +25 X,

от - 80 мА, не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Узе = Узе, п. /v -

Гп = + 110 X, не более........................................ 6 мА

VD1 Зо-

Повторяющийся импульсный обратный ток при 4бР, и = ОБР, п. - Гг, = +11 о С,

ие более..............s.............................................. 6 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при и^с - 12 В, Гп ~ +25 °С, не более................. 80 мА

время включения при t/-, и ~ 300 В,

hx,V\ ~ kx СР.МАКС. ПР.И ~ 4 А,

dly/dt= 5 А/мкс, df/dt= 25 А/мкс,

/у = 10 мкс, Г^ = +25 °С, не более....................... 10 мкс

время выключения при Цс и ~ 0,67 п, СУзс/о'/= (С(/зс/С0кр. БР, = 100 в, ос, и ~ 4с. СР. МАКС С/ос/ dt = 25 А/мкс, (dfoc/dt)cn = 5 А/мкс, Гп = +125 С,

не более............................................................. 100 мкс

Общая емкость, не более.................................... 20 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,72 °С/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсьюе напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12Ц(-

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7Узе п

Постоянное напряжение в закрь1Том

состоянии........................................................... 0,5(Ас.л

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение.....................................................400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ ,Ц)№п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7Уобр.п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,56p

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uc и ~ 0.67 Уз п,

Ry, Гп=+110°С............................................ 20... 100 В/мкс

Средний ток в открытом сосюянии

при 50 Гц, р = 180% = +70 С................... 40 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Уобр = О, 4, = Ю МС,

Гп = +110Х....................................................... 1000 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Узе, и ~ Ас п-4с и = 2/ос ср МАКО /= 1 Гц, dt,/dt= 2 А/мкс,

Гу=20мкс, Гп = +110Х..................................... 100 А/мкс

Температура перехода ....................................... +110 X

Температура корпуса.......................................... -60...+70 X

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристора р-п-р-п и диода рп. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 300 г.