Повторяющийся импульсный обратный ток

при обр и = обр п. - f 7п = +tOO С,

не более............................................................. 6 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при /Дс = 12 В не более.................................... 80 мА

Время включения при w ~ ЮО В,

/ос и = /ог гр млкг. не более................................... Ю мкс

Время выключения при = 0,67 Wjc п. dU,(/dt = 100 В/мкс, Ucjsp = too В,

/о. и 4г гр МАКГ. {cf/oc/dt)cn = 5 А/мкс,

Ti, =+100 X, не более...................................... 100 мкс

Сопротивление изоляции оптопар модуля,

не менее........................................ ............. 1000 МОм

Сопротивление изоляции основания модуля

(при нормальных условиях), не менее................ 40 МОм

Тепловое сопротивление переход--корпус,

не более............................................................ 0,15 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напря&кение

в закрытом состоянии ....................................... 400...1600 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии.......... ............................ ),]2U п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,8Ц(- п

Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии........................... 0,75Узс п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение....................................................... 400...1600 В

Нрповторяющееся импульсное обратное

напряжение....................................................... 1.12(4ьрп

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,8 Уобр п

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение................................................. 0,75/Уобрп

Максимальное напряжение изоляции оснюеа-

ния модуля..................... .................................. 2500 В

Критическая скорость нарасташя напряже**1я в закрытом состоянии при Узе и = 0,67 Узе л.

fu - ЮО мкс, /?у = сс, Гп - +Ю0 X...................... ЮО В/мкс

Максимально допустимый средний ток

в открытом состоянии при f= 50 Гц,

3= 180% Гк = +70Х..................................-..... 160 А

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при = 50 Гц,

Гк+УОХ........................................................ 250 А

Ударный неповторяюиийся ток в открытом состоянии при Uq == о, 4, = 10 мс,

Гп = +100Х....................................................... 3,2 кА

Максимально допустимый постоянный ток

управления......................................................... 100 мА

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Узси - 0.67Цс.п. /ос,и~ 2()с,ср,мАкст ~ l-.-S Гц, , ПР и 400...600 мА, ty = 50 мкс,

Гп = +100Х....................................................... 70 А/мкс

Температура перехода....................................... +100 X

Температура корпуса.......................................... -6D...+7D

4.5. Модули диодно-оптотиристорные МДТО2-10

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 200 г.

Электрические параметры

Импульсное иапряжение в открытом состоянии при 1с,и - 3,144с.ср.иАкс. fn ~ Ю мс,

Гп = +25 X, неболее.................................... 1,4 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при Узе ~ 12 В, TJi = +25 X,

у^ог~88 мА, не более........................................ 2,5 В

Псшторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Узси ~ Цс.П' Л'у ~

Гп = +110 X, не более........................................ 5 мА

МДТ02-Ю

25 25

Повторяющийся импульсный обратный ток

при Уобр и ~ обр п- = 7 п = +1Ю X,

не более............................................................. 5 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при Узе = 12 В, Гп = +25 X, не более................. 88 мА

Время включения при Уз и - 300 В,

()( ,И ~ 4с, CP wakc г.пр.и - 4 А,

dki/dt~ 5 А/мкс, dlofi/dt~ 25 А/мкс,

= 10 мкс, Гр = +25 X, не более....................... 10 мкс

Время вь.1ключения при Узг и - 067. л dU/dt= [dU/dtU, Уобр = ЮО В,

(к и = /от CP МАКС- dfJdt= 25 А/мкс, (t nc/df)rn = 5 А/мкс, Гп = +125 X,

не более............................................................. ЮО мкс

Общая емкость, не более.................................... 20 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 1,5 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,l2i4c,n

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии............................................ O.lUjcr,

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5 Узе, п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400.,. 1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12Уо5рп

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7Уобр,п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5/4ьр.п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U2cu ~ 0,67Уз,и

/?у = >, Гп = +110Х............................................ 20... 100 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при 50 Гц, Р= 180-, 7к = +70 X................... 10 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Уоьр = 0, Ги = 10 мс,

Гп = +110Х....................................................... 300 А

Критическая скорость нарастания тока а открытом состоянии при Узси ~ зс п. 4с.и= 24с.гР НАШ f= 1 ru,rf/y/dr= 2 А/мкс.

Гу = 20мкс, Гп = +110Х..................................... 100 А/мкс

Температура перехода ....................................... +110 X

Температура корпуса.......................................... -60 .+70 X

МДТ02-16

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р~п-р~п. Предназначен для применения в цепях постоянного и перемениого токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 200 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и - 3,144с СР МАКС- Л) ~ 10 мс, 7;= +25 X, не более......................................... 1,45 В

МДТ02-16

25 25

Отпирающее постоянное HanpJWKeHHe упрааления при и^с = 12 В, 7 = +25 X,

/у от= 88 мА, не более....................................

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при , - Узе п, /?у ~ °°,

Tf, = +110 °С, ие более....................................

Повторяющийся импульсный обратный ток прн Цуа> и = Чжр. п. - 7 п = +1 ТО X,

ие более.......................................................

Отпирающий постоянный ток управления

при ~ 12 В, Тп == +25 X, не более.............

Время включения при (/,г. и ~ 300 В,

4с и ~ 4с, CP, МАКС /у, ПР, И ~ 4 А,

d/y/dt= 5 А/мкс, d/oc/dt- 25 А/мкс,

= 10 мкс, Гп = +25 X, не более...................

Время выключения при Ujc и ~ 0,67 п. dU,Jdt= (о'Узс/о'ОкР. 4бР,и = 100 В, 4с,н-= 4с, CP, МАКС, dine/at-25 А/мкс, (а'4<-/а'0сп = А/мкс, Гп = +125Х, не лее .......................................

2,5 В

5 мА 88 мА

10 мкс

общая емкость, не более.....................,.............. 20 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,9 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400...1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрьпом состоянии........................................ ,2i п

Рабочее импульсное иапряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7С4с.п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии............................................ ............. 0,5(4: п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400...1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1f12(6pп

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7УобР г

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5(Бр п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при (/зс и ~ 0,67 (/зс л.

Ry = oo, 7п = +110Х............................................ 20...100 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при f = 50 Гц, р = 180, Гк = +70 X................... 16 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (/оьр ~ О, ty = 10 мс,

Гп = +110Х....................................................... 600 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при (/зс и - ЗС 17

/ос и = 2/ос СР МАКГ. 1 Гц. dfy/dt= 2 А/мкс,

Гу = 20 мкс, Гп = +110 X..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +110 X

Температура корпуса.......................................... -60...+70 X

МДТ02-25

Модуль Силовой полупроводниковый на основедвух бескорпусных последовательно соединенных кр?мниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной снло-

бой цепью. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится иа корпусе. Масса не более 250 г.

МЛШ-25

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и - 3,14/ос сР.мАко /и = 10 мс,

Гп = +25 °С, не более ......................................... 1,4 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при Узе = 12 В, Гп = +25 °С,

от = 88 мА, не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом

состоянии при У,с и ~ ЗС п) ~

Гп = +110 °С, не более........................................ 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток при Уобр и = обр п- /?у = Гп = +1 Ю °С,

не более............................................................. 5 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при Узе = 12 В, Гп = +25 С, не более................. 88 мА

время включения ори Цс, и - 300 В,

4с, и ~ 4с СР МДКС1 ПР и ~ А,

dK/dt=b А/мкс, diJdf= 25 А/мкс,

= 10 мкс, Г(, = +25 °С, не более....................... 10 мкс

Время выключения при и ~ 0,67 п-dUc/dt {dUc/dt)y,, Уобр и = ЮО В, 4с, и = 4с СР мако dlo<:/dt= 25 А/мкс, (а'4г/а'Г)сп = 5А/мкс, Ги = +125Х,

не более............................................................. 100 мкс

Общая емкость, ие более.................................... 20 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,4 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400...1200 В

Неповто[>яющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1Л2Узс

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7У^с п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5Узг п

Повторяющееся импульсное обратиое

напряжение........................................................ 400...1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12Уобр п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7 Уобр

Постоянное обратное напряжение..................... 0.5Уоьр п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при = 0,б7Узс п-

/?v = -. Гп = +1ШХ......................................... 20...100 в/мкс

Средний ток в открытом состсмнии

при f = 50 Гц, (3 = 180% Гк = +70 X................... 25 А

Ударный неповторяющийся ток в открьаом

состоянии при Уобр = О, Ji = Ю МС,

Гп = +110Х....................................................... 800 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Уэс, и зс, п-4с и = 24с,сР МАКС. f= I i\,dl,/dt= 2 А/мкс,

fy = 20MKC, Гп = +110Х..................................... 100 А/мкс

Температура перехода ....................................... +1ш X

Температура корпуса.......................................... -60..,+7U X

Р МДТ040

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и оптотиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 300 г.

25 . 25 . 155

Электрические парам-етры

Импульсное нгтряжение в открытом состоянии при 4f и = 3,144с CP МАКС, и = Ю WC,

Гп = +25 X. не более........................ ............... 1,45 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при ~ 12 В, Гп = +25 °С,

/у от - 80 мА, не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии прн t/jc и зс П, ~ 1

Гп=+110Х, не более........................................ 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при ОБР и = обр п. fy = 7 п = +1 Ю С,

не более............................................................. 6 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при (Ас =12 В, Гп = +25Х,не6олее................. 80 мА

Время включения при (Ас и = 300 В,

he и ~ 4с гр макг, 4 пр и ~ 4 А,

dfy/dt- 5 А/мкс, dloc/dt-25 А/мкс,

Гу = 10 мкс, Гп = +25 С, не более....................... 10 мкс

Время выключения при Сзс и = 0,67 п-dUr./dt(dU/dt)p, (/обр и = 100 В, /ос >л = /оссР ммкс- dhc/dt= 25 А/мкс, (а'/ос/а'Г)сп ~ 5 А/мкс, Гп = +125 X,

не более........................................................... 100 мкс

Общая емкость, не более.................................... 20 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,72 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12(Аг п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7(/зс п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5(/ - п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400...1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12(/обр,п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... OJUp.n

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5(Абр,п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Сзс и ~ 0,67 (/ п,

/?у = оо, Гп = + 110Х............................................ 20...100 В/мкс

Средний ток в OTKpbiTOM состоянии

при /= 50 Гц, Э = 180% Гк = +70 X................... 40 А