МТОТОЮО

25 25

овторяющийся импульсный обратный ток

ри ОбР и - обр П> = +110 С,

е более............................................................. б мА

th-пирающий постоянный ток управления

при Узс= 12 В, 7п = +25Х, не более................. 80 мА

Время включения при Ujc и - 300 В,

ос и ~ ос CP МАКС у пр и ~ 4 А,

dl/dt~ 5 А/мкс, d/Qc/dt= 25 А/мкс,

= 10 мкс, 7 п = +25 X, не более ....................... 10 мкс

Время выключения при и = 0,67U п dU- /dt= {dUc/dtU, Уобр и = ЮО В,

4с и - 4г.слмАкс, dloc/dt= 25 А/мкс, (й'/ос/и = 5 А/мкс, Гп = +110 X,

не более............................................................. 100 мкс

Общая емкость, не более.................................... 20 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,72 Х/Вг

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400...1200 В

Неповторяющееся импульсное нгряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12i4c п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

сисюннии........................................................... 0,7i/3cn

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... .SUc п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,126{зБрп

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7 Уобр п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5Уобр п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при (/с и ~ 0.674: п

/?у = >, Гп+ИОХ............................................ 20...100B/MKC

Средний ток а открытом состоянии

при/= 50 Гц, р= 1804 7;i = +7QX................... 40 А

Ударный неповторяющийся гсж в открытом состоянии при Ур5р = о, iJ, = Ш мс,

7п = +110Х....................................................... 1200 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и^с и ~ п. /ос и = 2/ос ср макс. = 1 Гц. dt,/cft= 2 А/мкс,

/ = 20мкс, 7 п = + 110Х..................................... 100 А/мкс

Температура перехода ...................................... +110 С

Температура корпуса.......................................... -60...+70 °С

МТОТ063

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 300 г.

МТ0Т065

25 25

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при 4г = 3,14/ос ГР МАКС, = 10 мс,

Тп = +25 °С, не более ......................................... 1,55 В

Отпирающее постоянное напряжение управ-пения при = 12 В, = +25 С,

от - 80 мА, не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импулы:ный ток в закрытом состоянии при i/,c и ~ ТГ f. -

71, = +110 X, не более........................................ 6 м А

Повторяющийся импульсный обратный ток при Уобр и М)ьр пг Л'у = TJi = +1 Ю X,

не более............................................................. 6 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при Цс = 12 В, / п = +25 X, не более................. 80 мА

Время включения при tc и ~ 300 В,

4с и 4с cp макс .пр, и 4 А,

<tki/6t= 5 А/мкс, dio/dt- 25 А/мкс, = 10 мкс, Гг, = +25 X, не более.............-....... 10 мкс

Время выключения при и ~ OWjc п

dU,/dt [dUc/dtU., Уобр и = В, /ос и = 4ссР mano dioc/dt= 25 А/мкс,

/ j/ / - сл/.. ylfiT

\* ос/ /сп - г^/ т /п - v

не более............................................................. 100 мкс

06ш,ая емкость, не более.................................... 20 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,44 °С/Вт

Предельные эксплуатационные да[1ные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400...1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрь1ТОм состоянии........................................ 1,12(с п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7 У^ п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5Уз(-

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12Уги, п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7645р п

Постоянное обратное напряжение..................... О.ЗУд^р п

Критическая скорость нарастания напряжения 8 закрытом состоянии при Узе ~ О.ЫО-с п.

/?v--, Гг = +110Х............................................ 20...100 В/мкс

Средний ток Б открытом состоянии

при/=50 ГцР= 1804 Гк= 4-70 Т................... 63 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при ygp = О, Гц = 10 мс,

7п = + 110Х....................................................... 1350 А

Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при Узе и = (Лг п.

/о. и = 2/ог ср макс. f= 1 Гц, dfy/dt 2 А/мкс,

Г, = 20 мкс, Гп = + ПОХ..................................... ЮОА/мкс

Температура перехода....................................... +110 X

Температура корпуса.......................................... -60...+70 X

МТОТО80

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диф-

фузионных оптотиристоров р~п-р~п. предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гaльвdничecкyкJ pciaxjKy с ocnoanOri СпЛоаСм цСПис. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе. Масса не более 300 г.

МТ0Т080

25 25

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /оси = 3,14/ос CP МАКГ, /и = Ю мс,

/п = +25 X, не более ......................................... 1,5 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при Узе ~ 12 В, ? = -Ь25 С,

Sf.oT = 80 мА, не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импульснь|й ток в закрь|том состоянии при Цс.и ~ Цс.п, v ~

Гп = +110Х, не более........................................ 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при Упер и = обр п- ?п = +1 X,

не более........................................................... 6 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при и = 12 В, Т^ = +2Ъ X, не более................. 80 мА

Время включения при Узе и - 300 В,

4с и ~ 4г ср макс> пр и I А,

dty/dt= 5 А/мкс, dlJdt 25 А/мкс,

Гу = 10 мкс, 71 - +25 X, не более....................... 10 мкс

Время выключения при У и - ,blUyr, п, dU,/dt=- (dU,c/dtU. Уоьр = 100 В. к- и = /пс ср млкс. /с/Г= 25 А/мкс, (£ ог/СГ)сп=5А/мкс, Гп = +110Х,

не более............................................................ 100 мкс

Общая емкость, не более.................................... 20 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................ 0,36 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии ........................................ 400... 1200 В

Неповторяющся ш^тпульсное напряжение

в закрытом состоянии ........................................ 1,12Узеп

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7 Уз,- п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5Узс п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400...1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение ........................................................ 1,12Уобрг1

рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7Упьр п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,.54е,р п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Уз = 0,67 У^ п,

/?оо, 7;т = + 110Х........................................... 20... 100 в/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при Г= 50Гц, Р = 180, Гк=+70 X................... 80 А

Ударный неповторяюкь^йея ток в открытом

состоянии при УрБр = о, Гц = 10 мс,

Гг, + 110Х....................................................... 1350 А

[критическая скорость иарастаиия тока

в открытом состоянии при Urjc и = U-ic П

/ос и = 2/ос,CP МАКС. 1 Гц, tf/y/cfr= 2 А/ кс,

fy==20mkc, Гп = +110°С..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +110 °С

Температура корпуса.......................................... -60,..+70 X

МТОТОЮО, МТОТ0125

Модули силовые полупроводниковые на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р~П'Р~п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих мастей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.

Масса не более 300 г.

МТОТОЮО, МТ0Т0125

25 25

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и = 3,14/ос СР Г4АКС. 4i = Ю МС,

не более............................................................. 1,75 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при Уде = 12 В, оу = 80 мА,

не более............................................................. 2,5 В

Неотпирающее постоянное напряжение управления при Wjc и - Цс П' +100 °С,

не менее............................................................. 0,9 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при и ~ i/эс п. ~ °°>

TJi+lOO X, не более........................................ 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при Ц)5Р и = БP п. = = +100 С,

не бопее............................................................ 6 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при Узе = 12 В, не более.................................... 80 мА

Время включения при и ~ ЮО В,

/оси = 4с СР МАКС не более................................... 10 мкс

Время выключения при У^с и - rblUc п-dUy/dt= 100 В/мкс, Уоьр , = 100 В, /оси = /ос СР МАКС (с^/ос/dt]zn = 5 А/мкс,

7п = +100Х, не более........................................ 100 мкс

Сопротивление изоляции оптопар модуля,

не менее............................................................. 1000 МОм

Сопротивление изоляции основания модуля

(при нормальных условиях), не менее................ 40 МОм

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,15 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное иапряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1600 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12Узс п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0.8(Ас,п

Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............................. 0,75Узс,п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1600 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,\2Ц^ п

рабочее импульсное обратное напряжение....... 0.8/>обр,п

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение.................................................. 0,75Уобр.п

Максимальное напряжение изоляции основания модуля......................................................... 2500 В

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Ucvi - OfilU п

/t, ~ 100 мкс, Ry = 00, Гп = +100 X...................... 100 В/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при /=50 Гц, р== 180 . Гк = +70Х:

МТОТОЮО.................................................... 100 А

МТОТ0125.................................................... 125 А

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, Гк = +70 X:

МТОТОЮО.................................................... 160 А

МТОТ0125.................................................... 200 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом

состоянии при СоБР ~ О, /и ~ Ю мс,

7п = + 100 X:

МТОТОЮО.................................................... 2 кА

МТОТ0125.................................................... 2,5 кА

Максимально допустимый постоянный ток

управления........................................................ 100 мА

Критическая скорость нарастанил тока

в открытом состоянии при Цс.и 0(67 П|

ос и - 2/ос,ср,МАкс. f~ 1* 5 Гц, ПР и = 400...600 мА, ty ~ 50 мкс,

Тп-+ЮОХ....................................................... 70 А/мкс

Температура перехода....................................... +100 X

ТемЛература корпуса.......................................... -60...+70 °в

МТОТО160

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р~п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управ-

ления имеет гальваническую развязку с основной силовой

цепью. Коргтус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль Герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет Rhihnn,hi для ппп^ип1гуче>-1*р К Енешней электрической цепи. Обо значение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе. Масса не более 500 г.

MT0T0J60

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос, и ~ 502 А, Гц = 10 м,

не более............................................................. 1,75 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при = 12 В, /у от - 80 мА,

не более.................................... ....................... 2,5 В

Неотпирающее постоянное напряжение управления при ic и ~ зс п ~ +100 X,

не менее......................... ................... .....0,9 В

Повторяющийся импульсный ток в за1фьггом

состоянии при (Ас и ~ зс п. ~

Гп = +100 X, не более........................................ 6 мА