критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при i/зс и ~ 0.67(/зс п>

= 7п = + 125°С............... ............................ 200...

1000 В/мкг

Средний ток в открытом состоянии

при Г= 50 Гц, р = 180 7 , = +85 °С................... 125 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Уоьр ~ О- и ~ 10 мс,

7-п = +125С....................................................... ЗОООА

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и = w f,K и = 2/ос CP МАКО = 1 Гц, df/eit= 2 А/мкс,

Г^ = 20мкс, Гп = +125С..................................... 40 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 °С

Температура корпуса.......................................... -60...+85 X

МДТ160

Модуль силовой полупроводниковь[й на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение .типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 350 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /от и = 3,14iU- гр MAKfr t = 10 мс,

T = +25 X, не более........................................ 1,73 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при = 12 В, Tf, = +25 X,

/у от - 0.4 А, не более.......................................... 4 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Узе и ~ /Лс л. /у ~

= +125 X, не более........................................ 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток при Уобр и = бр п. = 7 п = +125 X,

не более............................................................. 6 мА

ми л60

25 . 25 J5

гт- qni =н

-об -oJ

Отпирающий постоянный ток управления

при 6 - 12 в, 7 п = +25 X, не более................. 400 мА

Время включения при У,с. и ~ 300 В,

4г и ~ 4г гР млкг. ПР и ~ А,

dLj/dt= 5 А/мкс, dfc/dt- 25 А/мкс,

Гу - 10 мкс, Гп = +25 X, не более....................... 10 мкс

Время выклк>чения прн зс и ~ 0,67 (Уз- п, rf£/,c/c-= {dU /dt)p, (/обр и = ЮО В, /ск и /ос.ср.мАкс dfcc/dt= 25 А/мкс, {tf/or/Cricn 5 А/мкс, Гп = + 125 X,

не более............................................................. 100 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,16 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1600 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12Узс,п

рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7У,г п

Постоянное напряжение в закрытом

состояние............................... 0.5(Лс

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400...1600 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12Уобр,п

рабочее импульсное обратное напряжение....... OJLdp п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5Упбр п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при = 0,67 (/зг ,

Rv = °°, 7 п = +125Х.......................................... 200...

1000 в/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при 50 Гц, Р= 180 Г, = +85 X................... 160 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при и^ьр = О, / и = 10 мс,

Гп = +125Х....................................................... 3300 А

Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при и ~ iC п,

4с и = 2/ос СР.МАКС. 1 Гц, dl/dr 2 А/мкс,

j;, = 20mkc, 7 п = +125Х..................................... 40 а/мкс

Температура перехода ....................................... +125 X

Температура корпуса.......................................... -60...+85 X

4.4. Модули оптотиристорные МТО2-10

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи- Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 250 г.

15-1723 449

MT02-W

25 25

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ог и = 3,14/ос,СР МАКГ- to мс,

7 п = +25 С, не более........................................ 1,4 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при (/,с ~ 12 В, Гп = +25 С,

/у от = 88 мА, не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при - п. /?v ~

Гг, -+ 110С, не более........................................ 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при УоьР и - ов1> п, /?у - , Гт = +110 С,

не более............................................................. 5 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при (Аг = 12 В, Тп = +25 °С, не более................. 88 мА

Время включения при i/ и ~ В.

4г и 4с CP.MAKCf ПР и ~ I Af

dly/dt 5 А/мкс, dhJdt-25 А/мкс,

/у = 10 мкс, Гп = +25 X, не более....................... 10 мкс

время выключения при Uc и 0,67 Узе dU..rydt= {dUc/dtU. Уобр и = В.

и = or CP МАКС. d/r/dt= 25 А/мкс, (cZ/or/tfOcnSA/MKc, Гп = +110Х,

ие более............................................................. 100 мкс

Общая емкость, не более.................................... 20 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 1,5 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

П( вторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии....................................... 1.12yj(-

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7 У п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5Узг п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400...1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12(-,ср,п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7Уоьр п

Постоянное обратное напряжение.................... 0,5Уобр и

Критическая скорость нарастания напряжения е закрь(Гом состоянии при Уэ и = 0,67i/3c п-

R = , Гп = +110Х........................................... 20...100 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при f= 50 Гц, р = 180% Гк = +70 X................... 10 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Уобр - О, ty, = 10 мс,

7;, = +110Х....................................................... 300 А

Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при ц ~ СЛс П'

(>с'и = 2/, сР.мдко f= 1 Гц, d/y/dt= 2 А/мкс,

t, = 20 мкс, Гр = +110 X..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +110 С

Температура корпуса.......................................... -60...+70 X

МТ02-16

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диф-

фузионных оптотиристоров р-п-р-п. предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе. Масса не более 250 г.

МТ02-16

25 25

ж

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и = 3,144с,гр МАКС, и - 10 мс,

Тп = +25 °С, не более......................................... 1,45 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при Цс ~ 12 В, 7 п = +25 С,

OJ = 88 мА, не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом

состоянии при Узе, и ~ зс. п. ~ f

7 п = +11 о °С, не более........................................ 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при Уобр и = оьр,п. = . 7 п = +110С,

не более........................................................5 мА

111ирйгОщии мОСТОЛНпЫм ТОК уПрыиЛС! IHn

При Узе = 12 В, Гп = +25 °С, не более................. 88 мА

Время включения при Узе и ~ 300 В, /ос и ~ ос CP МАКС /у. ПР и ~ 4 А,

dl/dt - 5 А/мкс, di/dt- 25 А/мкс,

Гу = 10 мкс, Гп = +25 С, не более....................... 10 мкс

Время выключения при Узе и ~ 0,67 Узе п dU /dt= {dUJdt)yp, оБР.и 100 В. /ос и /ос.СР.МАКС, dloc/dt 25 А/мкс, id/ac/dt)cn = 5 А/мкс, Гп = +110 С,

не более............................................................. 100 мкс

Общая емкость, не более.................................... 20 пФ

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,9 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12Уз, п

рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7 п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5 Узе п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400...1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12УоБрп

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7Уо5рп

Постоянное обратное напряжение..................... 0,56(жр п

Критическая скорость нарастания напряжения

в закрытом состоянии при Узе и - 0,67Узс п'

Ry = <, Гп = +110°С........................................... 20...100 В/мкс

средний ток в открытом состоянии

три f= 50 Гц, Р = 180°, Гк = +70 X................... 16 А

/дарный неповторяющийся ток в открытом

:остоянии при Удр = О, t = 10 мс,

Гп = +110Х....................................................... 600 А

критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при Узе и = Узе п,

/ос и = 2/of CP МАКС. f= 1 Гц. dl/dt~ 2 А/мкс,

fv = 20MKC. Г, = 4-110 С........... 100 А/м^с

Температура перехода....................................... +110 °С

Температура корпуса.......................................... -60...+70 X

МТ02-25

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух 6ес<-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 250 г.

МТ02-25

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при 4с и = 3,144с cp макг. и = Ю мс,

Тп - С, не более.........................................4 J

Отпирающее постоянное напряжение управления при Цс = 12 В, 7 = +25 С,

01 = не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Ur ц - Цс п v -

7;, = +110Х, не более........................................ 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при Уобр и = обр ri. v = , 7 п = +1 X,

не более............................................................ 5 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при и^с= 12 8, 7п = +25Х, не более................. 88 мА

Время включения при ц - 300 В,

4с и ~ 4с cp МАКГ /г' пр И ~ 4 А,

dl dt= 5 А/мкс, dlac/dt= 25 А/мкс,

= 10 мкс, Гп = +25 X, не более....................... 10 мкс

Время выключения при У^с и ~ 0,67 Узг п. dUJdtKdU/dt\p, Уобр и ЮО В, 4с и = 4с cp МАКС, <ffo<:/dt= 25 А/мкс, (tf4c/cfr)cn = 5 А/мкс, Гп = +1 Ю X,

не более............................................................. 100 мкс

Общая емкость, не более................................... 20 пф

Тепловое сопрютивление переход-корпус, не более............................................................. 0,4 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1200 S

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12У,(

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии.......................................................... 0,7У^Г1

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5У„; п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12Уор п

Рабочее импульсное обратное

напряжение........................................................ О.У^брп

Постоянное обратное напряжение..................... 0,SUqp п

Критг{чсС(\ая CrvOpocTo парасгагтя иапряжения в закрытом состоянии при Uc и ~ O.blUc п>

/?, = , 7- = +!ЮТ........................................... 20...100 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при f= 50 Гц, р = 180°, Гк = +70 °С................... 25 А

Ударный неповгоряющийсл ток в открытом состоянии при СоБР - о, t ~ 10 мс,

Гп = +110Х....................................................... 800 А

Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при Уэс и - ЗС Пг

/ос и = 2/ос СР МАКО f = 1 Гц, dfy/dt= 2 А/мкс,

fy = 20 мкс, Гп = +110 С.................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +110 *С

Температура корпуса.......................................... -60...+70 С

МТОТО40

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной, силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 300 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при 4с и = 3,144с. ср мако fit - 10 мс,

Гп = +25 °С, не более......................................... 1,45 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при Узе - 12 В, Гп = +25 С,

от ~ 80 мА, не более........................................ 2,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом

состоянии при t4c. и ~ 4с п' /?у =

Гп = +110 С, не более........................................ 6 мА