коемя выключения при f/jc - 0,674/зс п

= {c/UWdtkp. Ооъ? и = 100 В,

и= /ос СР.МАКО Тп = +125 С, не более............. 100 мкс

Ёпловое сопротивление перехид-корпус,

L более:

Г МТД100........................................................ 0,3 Х/Вт

МТД125........................................................ 0,16 С/Вт

Сопротивление изоляции основания модуля, не менее:

при нормальных условиях............................ 30 МОм

при относительной влажности (95±3)%...... 0,5 МОм

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1600 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12/Узс п

рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,8Uj]

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,75 i/:;,- п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400...1600 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12 обр.п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,8i/of,p,n

Постоянное обратное напряжение..................... 0,75/У(-,ьрп

Максимальное напряжение изоляции основания модуля......................................................... 2500 В

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при i/,c и = 0,67/У., п-

Гп = +125Х........................................... 200...

1000 В/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, (i - 1&0%

Т'к = +85 X:

МТДЮО........................................................ 100 А

МТД125 ........................................................ 125 А

Максимально допустимый действующий ток

в открытом состоянии при /=50 Гц,

Т'к = +85 X:

МТДЮО........................................................ 160 А

МТД125 ........................................................ 20ОА

Ударный неповторяющийся ток в открытом

состоянии при i/oBp - О' ~ Ю мс, Гп = +125 X:

МТДЮО.................. 2,8 кА

МТД125.....................,.................................. 3 кА

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Ц,г и ~ тг п>

/оси = 2/пг ср.мАко 7 л = +125 X........................... 40 Д/мкс

Температура перехода....................................... +125 X

Температура корпуса.......................................... -60...+85 X

МТД160

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристора р-п-р-п и диода р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 350 г.

МТД160

25 25 . 15

о2~\-о!

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом со-

roянии при /ос,и ~ 3,14с,ср,макс- ~ Ю мс,

да+25 С, не более ......................................... 1,75 В

[Опирающее постоянное напряжение управ-

енияпри(Лс= 12 В. Гп = +25Х.

= 0,4 А, не более.......................................... 4 В

овторяющиися импульсный ток в закрЬ|том

-рстоянии при i/зг. и - Х. П ~

у =+125 X, не более........................................ 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток при /УобР.и ~ оБР.п. /?у ~ 7 п = +125 С,

не более............................................................. 6 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при = 12 В, Г„ = +25 X, не более................. 400 мА

Время включения при i/,c. и = 300 В,

/ос и ~ ос, CP, МАКС /у, ПР. И ~ 4 А,

dQdt-5 А/мкс, dioc/dt- 25 А/мкс.

, = 10 мкс, Гп = +25 X, не более....................... 10 мкс

Время выключения при Uq = QfilUt: п> dU,c/df= [dU/dt) обР, = 100 В, /оси = tc,СР.МАКС, dkc/dt 25 А/мкс.

(с ос/а¥)сп = 5 А/мкс, Гп = +125 X, не более .... 100 мкс Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,16 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

е закрытом состоянии........................................ 400... 1600 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12i,- п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0.7(/зс,п

Постоянное напряжение в закрытом

соаоянии........................................................... 0,5/Узс.п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1600 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ \,\2Up

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7i/o£pn

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5(Бpп

критическая скорость нарастания напряжения

в закрытом состоянии при ic и ~ OfilUc п.

V = oo, Гп = +125Х........ ................................ 20О...

ЮОО 3/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при 50 Гц, р = 180°. Гк = +85 С................... ТбО А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Удйр = О, Гц = to мс, Гп = +t25 °С.... 3300 А Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и ~ Аг П* 4. и = 2/of CP МАКС, 1 Гц, di,/dt 2 А/мке,

Гу = 20мкс, Гп = +125Т..................................... 40 А/мкс

Температура перехода..................... ................ +125 С

Температура корпуса.......................................... -60...+85 X

4.3. Модули диоАно-тиристорные МДТ2-10

Модуль силовой полупроводниковый- на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 200 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /с, и = 3,14,г гп МАКС, fii ~ Ю мс,

Гп = +25 С, не более....................................... 1,4 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при i/,.- = 12 В, Гп = +25 С,

от ~ 0 1 А, не более.......................................... 3,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при i/зс и ~ ЗС г>. ~

7J, = +125 X, не более.............-.......................... 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при i/оБР и = i05P П Ч Тп = +125 X,.

не более.........................................................- 5 мА

МйП-Ю

25 . 25 15

га; raf

Отпирающий постоянный юк управления

при (/,г = 12 В, Гп = +25 X, HP более................ 100 мА

Время включения при Uc и ~ 300 В,

he и ~ CP MAt(( /у ПР VI ~ А'

dty/dt= 5 А/нкс, dic/f= 25 А/мкс,

/у - 10 мкс, Гп =+25 X,+ie более.................... Ю мкс

Время выключения при t/} и - 0,67 П' i/dt = {dU/dt)p, = 100 В, or и = /ог CP МАКГ- c/{,c/dt= 25 А/мкс, №/<:fr)cn = 5A/MKc, Гп = + 125Х,

не более............................................................. 100 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................ 1,5 С/Вт

Пределъны эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400-1400 В

Неповторяк>щееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12tr п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0.7(;зс п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... O.SUyr п

Повторяющееся импульсное обратиое

напряжение........................................................ 400...1400 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1.l2t/oEp

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,764бР,п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5Уобр п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Ujc и - О.бУСзс

/?у==->, 7п = + 125С........................................... 50...

1000 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при f= 50 Гц, (i = 1804 Гк = +85 X................... 10 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при УобР = О, Ги = 10 мс, Гп = +125 X.... 300 А Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при Узе и ~ -f П'

foe и = 2/о<- (р МАКО 1 Гц, d{y/dt= 2 А/мкс,

Гу - 20 мкс. Т;, = +125 X..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 X

Температура корпуса.......................................... -60...+85 X

МДТ2-16

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 200 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при Iqc = 3,144с СР нАкс. 4( = 10 мс,

Гп = +25 С, не более......................................... 1,4 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при Узе = 12 В, Гп = +25 X,

/у от ~ о, 1 А, не более.......................................... 3,5 В

МДТ2-16

25 . 25 15

-02--

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при /зс,и - УзС,п| у -

Гп = +125 X, не более........................................ 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при Уобр и = обр п> Ч = °°.

Гп = +125 X, не более........................................ 5 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при Озс = 12 В, Гп = +25 X, не более................. 100 мА

Время включения при Сзс и - 300 В,

и ~ 4с гр макс- /у пр и ~ А

dk,/dt-5 А/мкс, dlJdt 25 А/мкс,

/у = 10 мкс, Гп = +25 X, не более....................... 10 мкс

Время выключения при = 0,67 (/3 п.

dU/dt=(dU/dt)y,p, Уобр. и = ЮО В,

ог,ц = (ic.cP МАКО dfoc/dt= 25 А/мкс,

(o/or/tfOcn ~ 5 А/мкс, Гп = + 125 X, не более .... 100 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,9 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1400 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии....................................... 1r12tAc, п

Рабочее импульсное налряжен44е

в закрытом состоянии........................................ 0.7Цс п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,bUy, п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400...1400 В

Неповторяклцееся импульсное обратное

напряжение....................................................... 1,1264бр п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... О.ТУу, п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5Цу п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 1ри fAr и ~ О^бУУзс .п.

= 7;, = + 125Х.......................................... 50...

1000 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при /= 50 Гц, р = 1804 Гк = +85 °С................... 16 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Уобр -0.t = 10 мс, Т„ - +125 С.... 600 А Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Узе и ~ i/gc п, /(x и = 2/ог гр макс f= 1 Гц, dl,/dt= 2 А/мкс,

Гу 20 мкс, Гп = +125 С..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 С

Температура корпуса.......................................... -60...+85 С \

МДТ2-25

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода fy-n и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 250 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при 4с и = 3.144с СР КАКС = *0 мс, Гп = +25 X, не более..............-....................... 1,4 В

ИйТ2-25

/о--of--оЗ

VDJ VD2

Отпирающее постоянное напряжение управления при и^с = 12 В, Гп = +25 X,

= 0,1 А, не более......................................... 3,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Ц.С и ~ (зс п- ffy - 1

7 = +125 X, не более............................. ......... 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при Uoop и = оБР п- у = Тп = +125 X,

не более........................................................ 5 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при tAc = 12 В, Гп = +25 X, ме более................ 100 мА

Время включения при f/jr и ~ 300 В,

и ~ 4с f Р MAKCf ПР и ~ 4 А,

о7у/с'Г= 5 А/мкс, dlor/di= 25 А/мкс,

/у = 10 мкс, Гп - +25 X, не более....................... 10 мкс

Время выключения при U = 0,67i/jc п c/Uc/dt= (Ci/зс/й^ОкР. Уоъ? и = 100 В. ос м - ос CP МАКС. oc/dt= 25 А/мкс,

(ьс/о'Осп = А/мкс, Уп = +125 X, не более... 100 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................. ........ 0,6 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импулы:ное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400...1400 В

Неповторяю!ирргя импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12i4c п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0)76зсп

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... О.бСзсп

Повторяющееся импульсное обратиое

напряжение........................................................ 400...1400 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,126{)брп

Рабочее импульсное обратное напряжение....... OJUq п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5Уоер,п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uc и - 0,67Узс

ffy = oo, Тг = +М5Х......................................... 50...

1000 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при/= 50 Гц, р= 180 . 7к = +85 X................... 25 А

Ударный не повторя к^щийся ток в открытом состоянии при Уобр О, Ci ~ Ю мс,

7 п = +125Х....................................................... 800 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Узе, и - Ас п> 4с,и - 24с СР МАКО f= 1 Гц, dly/dt-2 А/мкс,

iV = 20MKC, Гп = +125Х..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 X

Температура корпуса.......................................... -60...+85 X

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода р-п и тиристора р-п-р-п. Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепн. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 250 г.