предельные эксплуатационные данные

топяющееся импульсное напряжение

.L.,tom состоянии........................................ 400... 1400 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,126,с,п

рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7/Лс,п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5{/зсп

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1400 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12{/обр,п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... OJip

Постоянное обратное напряжение..................... 0,56(,бр.п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при {/зс,и = 0,67{/зс,п,

R = ,ru + mX........................................... 50...

1000 в/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при f=50 Гц, р= 180% Гк = +85 =С................... 25 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при i/оБР = 0, t = 10 мс,

Гп = +125Х....................................................... 800 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при /з^,и ~ Цс,П| /оси = 2/ог,сР,мАкс. f= 1 Гц, dfy/dt- 2 А/мкс,

fy = 20MKC, Гп = +125°С..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 X

Температура корпуса.......................................... -60...+85 X

МТТ-40

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-ксэпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до эОО Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 250 г.

MTT-iO

-o3 -o4

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /оси = 3,14/ос СР МАКС- и = 10 мс,

Гп = +25 X, не более......................................... 1,45 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при и^с - 12 В, Гп = +25 X,

/у от ~ 0,1 А, не более.......................................... 4 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при 6/3СИ = Узе, п. /?у ~

Гп = +125 X, не более........................................ 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при УоБР.и = оьр п- /?у = Т'п = +125 X,

не более............................................................. 6 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при Узе- = 12 В, Гп = +25 X, не более................. ЮО мА

Время включения при Узси = 300 В,

ос, и ~ 4с, СР, MAKCi /у, пр, и - 4 А,

dly/dt= 5 А/мкс, d/oc/dt= 25 А/мкс,

fy = 10 мкс, Гп = +25 X, не более....................... 10 мкс

п„емя выключения при Uc.n - О-бТ/сп.

{й'/Узс/ОкР. Ь'овр.и = 100 В. / ;-/осср,мдко/ос/=25А/мкс, fj/?)cr, = Ь А/мкс, Гг,= +1!) L,

не более.............. .............................................. ЮО мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,72 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1400 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,126/зс,п

рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,76/зс,п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5/Узе, п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1400 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ ),\2Uqp

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7/Уобр, п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5/Уобрп

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при /У - = 0,67/Уз п,

/? = , Гг, = +125Х.......................................... 50...

1000 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при f= 50 Гц, Р= 180% Г = +85 X................... 40 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при /Уобр = О, ?ц = 10 мс,

7п = +125Х....................................................... 1200 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при i/jcn = /Узе,п-/ас,1= 2/осср макг. f~ 1 Гц, diy/dt= 2 А/мкс,

/у = 20мкс. Гп = +125 X..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 X

Температура корпуса.......................................... -60...+8 5 X

МТТ-63

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес- рпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для примене-

ния в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован

и ПллСТмйььивОт iupiiyL-t; м имебТ ВоВОДо1 ДЛЯ ПОД1члгичеНИЯ

К внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе. Масса не более 150 г.

МТТ-63

25 25 15

JBB ЕЭ Enl

-о7 -об -оЗ

~о5 -о4

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ог и ~ 3.14/ос (р мдксг f = Ю мс,

Гп = +25 X, не более......................................... 1,55 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при и^с - 12 В, Гп - +25 X,

/у от ~ 0,1 А, не более.......................................... 4 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Узе и ~ пг - г

Тп ~ +125 X, не более........................................ 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при Уобр и = обр п. /?у = Гп = +125 X,

не более............................................................. 6 мА

г,-гпиоаюЩИЙ постоянный ток управления

При изе

II 12 В, Гп--f2-j С, неболее................. 100 мА

5ремя включения при U - JUU Ь,

5 А/мкс, rf/or/tf/= 25 А/мкс,

, 10 мкс, Гп = +25Х, не более....................... 10 икс

Время выключения при и = 0,67i/,c п-dU,r/dt {dU,Jdt\p, t/cisP и = 100 В,

ijj/afj)j-n = 5 А/мкс, 7 п =+125 °С, не более .... 100 икс

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................ 0,44 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400...1400 В

Неповюряющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12 зсп

Рабочее импульсное напряжение в эакрытом

состоянии........................................................... 0,7t/5c п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5/Узе п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1400 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ \,\2Up □

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7/Уо5р

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5/Уоьрп

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при = 0,67i/)f п.

ч^о, 7 п = + 125 С........................................... 50...

1000 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при/=50Гц.р=180 . 7-к = +85Х................... 63 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при (/обр = о, ?ц = 10 мс,

Гп=+125Х....................................................... 1350 А

Критическая скорость нарастания тока в от-

<Рытом состоянии при Узе и = зс п.

/оо1 - 2/ос CP МАКО f= 1 Гц, dly/dt= 2 А/мкс,

Гу~20мкс, Гп = +125Х.................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 X

ёмпература корпуса.......................................... -60...+85 X

МТТ-80

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых дигЪ-фузионных тиристоров р-п-р-п. предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модулд4 изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится иа корпусе.

Масса не более 300 г.

МТТ-80

25 25 15

/ 2 3

3owS 06.5/ Z%

02

-o5 -o4

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос и = 3,14/ос, СР МАКС, /и = Ю мс,

Гп = +25 X, не более......................................... 1,55 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при Узе = 12 В, Гп = +25 X, /у. от ~ 0,1 А, не более.......................................... 4 В

ряющийся импульсный ток в закрытом

г^ГОЯНИИ при и = Цс.п, =

7 SS +125 С, не более........................................ 6 мА

.п* отппяющийся импульсный обратный ток pZ.H-obP.n./?v-.Г, = +125Х.

не более...........................................................

Отпирающий постоянный ток управления

при £>чс= 12 В, Гп = +25Х, не более................. 100 мА

время включения при Цс и = 300 В,

Lr л ос, CP, МАКС ПР, и ~ 4 А,

5у^= 5 А/мкс. a/nc-/tff= 25 А/мкс,

= 10 мкс, Гп == +25 X, не более..................10 мкс

Время выключения при Цс.и ~ >1х,пр

dUc/dt= {dUc/dtWp, iБP,и = 100 В,

/ос и /ос СР.МАКС dloc/dt 25 А/мкс,

(4)с/)сп = 5 А/нкс, 7п = + 125 X, не более .... 100 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,36 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в эакрь|том состоянии........................................ 400...1400 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12Цс,п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,76з(- п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,5i4:,n

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1400 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12(/обр.п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,76оБр п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5/Уобр,п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при = 0,67Цс п-

= Гп = +125Х................................!......... 50...

1000 В/мкс

Средний ток Б открытом состоянии

Ри f= 50 Гц, р = 180% Гк = +85 X................... 80 А

Дарный неповторяющийся ток в открытом соаоянии при = О, = 10 мс,

п = +125Х....................................................... 1350 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Узе н - Узе п, foe и = 2/ос СР МАКС. Т= 1 Гц, dly/dt= 2 А/мкс,

fv 20 мкс, Гп = -Ь|25 X..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +>25 X

Температура корпуса.......................................... -60...-Ь85 X

MTTlOa, МТТ125

Модули силовые полупроводниковые на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 300 г.

MTTWO, МТТ125

25 25 15

-о7 об

о5 -о4

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом:о--,дяии при /ос и - 3,14с ср.иАко - 10 мс,

е более: --.со

МТТЮО......................................................... 1.75 В

МТТ125......................................................... 1.25 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при и^, 12 В, не более:

7п = -60СЛот=1А............-.................... 10 В

7-п-+25Х,от = 0,4А..-........................... 4 В

Неотпирающее постоянное яапряжение управления при /Узе и ~ 0,67(Ас п. 7 п = +125 °С,

не менее............................................................. .3 в

Повторяющийся импульсный ток в закрытом

состоянии при Лг и - Цс.п У

Гп = +125 X, неболее........................................ 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток при /Уобр и ~ /бp п. /?у ~ Тп = +125 X,

не более............................................................. б мА

Отпирающий постоянный ток управления при t/jc = 12 В, не более:

т;, = -60 X.................................................. 1 А

Гг,= +25Х.................................................. 0,4 А

Время вклк>чения при Цс, и ~ ЮО В,

/ос v> = /ос CP МАКС, не более................................... Ю мкс

Время выключения при w ~ 0,€7/Узс rv dUc/dt= {dU/dtU, icp и = ЮО В,

<х и = /ос.ср МАКС 7 п = +125 С, не более ... ....... 100 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус, не более:

МТТЮО......................................................... 0,3 Х/Вт

МТТ125......................................................... 0,16 Х/Вт

Сопротивление изоляции основания модуля,

не менее:

при нормальных условиях............................ 30 МОм

при относительной влажности (95±3)%...... 0,5 МОм

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии..... ................................. 400...1600 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1.126,п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии.......................................................... О.зс п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,75(Узе п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400...1600 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,126о^

Рабочее импульсное обратное напряжение....... О.бУо^р

Постоянное обратное напряжение..................... О.УбУдБрп

Максимальное напряжение изоляции основания модуля......................................................... 2500 В

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при и ~ 0,67Узс п-

Ry = oo, 7 п = +125Х.......................................... 200...

1000 в/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f~ 50 Гц, 3 = 180°, Гк = +85 X:

МТТ100......................................................... 100 А

МТТ125......................................................... 125 А

Максимально допустимый действующий ток

в открытом состоянии при f= 50 Гц,

Гк = +85 X:

МТТЮО......................................................... 160 А

МТТ125......................................................... 200 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом

состоянии при Уобр ~ О, t = Ю мс,

Гп = +125Х:

МТТЮО........................................................ 2,8 кА

МТТ125......................................................... ЗкА

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при и = Узе, п>

/ос и = 2/ос ср МАКС. Т'п = +125 X ...................... 40 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 X

Температура корпуса.......................................... -60...+85 X

МТТ160

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диф' фузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначен для примене-ния в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован