Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при UobP = О, = 10 мс,

Т140-63 ....................................................... 1200 А

Т140-80 ....................................................... 1350 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при i/jc и = 0,67t/3c,n, <ос и ~ /ос,ср,мАКС ~ Гц, /у,пР,И ~ 0,5 А,

д,нр= 1 мкс, = 50МКС, Гп = +125 °С................ 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 X

3.7. Фототиристоры бескорпусные

ТФ130-40, ТФ130-50

фототиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в ключевых высоковольтных модулях, управляемых от внешнего источника света. Выпускаются в бескорпусиом исполнении. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых электродов приводится на бирке.

Масса фототиристора не более 1,3 г.

ТФ130-0, ТФ15050

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /оси = 3,14.CP МАКС, = to мс, не более............................................................. 1,65 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом

состоянии при Цси = (эс,п. 7-п = +110Х,

воолее............................................................. ЗмА

Позторлющийся импульсный обратный ток

при Узси = п, Гп = +110 X, не более............ 3 мА

Длина волны источника излучения..................... 0,9...1,2 мкм

Мощность источника излучения......................... 10 мЬт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 500... 1000 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1 1Цс.п

Рабочее импульсное напряжение а закрытом

состоянии........................................................... 0,8t4c,n

Максимально допустимое постоянное напряжение в закрь|Том состоянии............................. 0,бУзс,п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 500...1000 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1.1обр,п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,8£/хр,п

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение.................................................. 0,6

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U = 0,б7Узс п. +110 X:

группа 1........................................................ 20 В/мкс

группа 2..........................................,............. 50 В/мкс

группа 3........................................................ 100 В/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f~ 50 Гц, р = tSO* ,

Т;, +110 X:

ТФ130-40 .................................................... 40 А

ТФ130-50 .................................................... 50 А

Максимально допустимькй действующий ток

в oTKpbiroM состоянии при f- 50 Гц, р = 180°,

Гп= +110Х:

ТФ 130-40 .................................................... 63 А

ТФ130~50 .................................................... 78 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом

состоянии при Уобр ~ 0. и ~ Ю мс,

7;, =+110 X:

ТФ 130-40 .................................................... 750 А

ТФ 130-50 .................................................... 800 А

Критическая скорость нарастания тока в от-пытом состоянии при £/,с и = 0,67 t/зс п.

1-2/ с,сР,мАко-1-5Гц. Гп = +110С ........ 100 А/мкс

ёмпература перехода....................................... I 110 X

расстоянии от источника излучения до фоточувствитель-10Й поверхности не должно превышать 1...1,5 мм.

ТФ140-63, ТФ140-80

фототиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в ключевых высоковольтных модулях, управляемых от внешнего источника света. Выпускаются в бескорпусном исполнении. Анодом и катодом являются плоские основания. Обозначение типономинала и полярности силовых электродов приводится на бирке.

Масса фототирисгора не более 2,6 г.

ТФНОбЗ, ГФиО-80

К

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при <5с.и = 3,14.сР.мАкс. 4i = 10 мс,

не более............................................................. 1,65 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом

состоянии при /У-, н = t/,c ii,

7г, =+110 X, не более........................................ 6 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

ри iocp. и = и^ър. п, Тп = +110 X, не более......... 6 мА

Длина волны источника излучения..................... 0,9...1,2 мкм

Мощность источника излучения......................... 10 мВт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 500... 1000 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,1 tc п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... С.оОзс п

Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии ............................. О.бУзс ц

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение ........................................................ 500... ЮОО В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,1Уэб1>,п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,8Уобр,п

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение.................................................. О.б^АбР.п

Критическая скооость нарастания напряжения в закрытом состоянии при t/j- = 0,67 Узе р, Гп = +ПОС:

группа 1........................................................ 2.0 В/мкс

группа 2........................................................ 50 В/мкс

группа 3........................................................ ЮО В/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при 50 Гц, [i = 180 ,

Гп = +110 X:

ТФ 140-63 .................................................... 63 А

ТФ 140-80 ................................................... 80 А

Максимально допустимый действующий ток

8 открытом состоянии при 50 Гц, р = 180 .

Гп -Ы10 X:

ТФ140~63.................................................... 98 А

ТФ140-80 .................................................... 125 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом

состоянии при Уобр - О, t = Ю мс,

Гп+110Х:

ТФ140-63 .................................................... 1200 А

ТФ140-80 .................................................... 1350 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при Узе и ~ 0,б7Узе п,

/ос и = 24г с-р ИАКС. 1-5 Гц, Гп = +110 X........ ЮО А/мкс

Температура перехода..............................,........ +110 С

Расстоянии от источника излучения до фоточувствительной поверхности не должно превышать 1...1,5 мм.

раздел четвертый

Силовые модули

4.1. Модули тиристорные МТ2-10

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бес-корпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-П'Р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 150 г.

MT2--W

25 25 15

£51

-о7 -об

-о5 -о4

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при 1н = 3,14/г;г cd млс i ~ Ю мс,

Гп = +25 X, не более ........................ 1,4 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при t/,c = 12 В, Гп = +25 X,

не более............................................................. 3,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при и - зс, п> Л'у = 0°,

Гп = +125 X, не более,....................................... 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток при (/обр и = оьР п. fy = Тп- +125 X,

не более............................................................. 5 мА

Отпирающий импульсный ток управления

при 4с 12 В, Гп = +25 X, не более................. 100 мА

Время включения при Цс, и 00 В, or и 4<: ср, макп -у, пр, и 4 А,

dly/dt= 5 А/мкс, dlorjdt- 25 А/мкс.

ty = 10 мкс, Гп = +25 X, не более....................... 10 мкс

Время выключения при U-c и = 0,67Л(-,п. dU,/dt= idUc/dt)p, УоъР и ЮО В, /ос и = /ос СР МАКС. diJdt-25 А/мкс, (tf/oc/Cr)cn = 5 А/мкс, Гп = +125 X,

не более............................................................. 100 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 1.5 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400...1400 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12<п

Рабочее импульсное налрях^ние в закрытом

состоянии...................................-...................... 0,7Цг п

Постоянное напряжение в закрьпом

состоянии ........................................................... O.SWjcn

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 400... 1400 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,126/обр,п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7/£;р,п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,5/Уоьр,п

итическая скорость нарастания напряжения ,;,кпытом состоянии при i/зс и = 0,67{/зс,п. /i ,7;, = +125X........................................... 50...

HJUU D/ мкс

Гпедний ток в открытом состоянии

при%50Гц.Р= 180% Г, = +85Х................... 10 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом гпстоянни при i/obp о, Гц = 10 мс,

)- = +125Х....................................................... 300 А

1итическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при i/jc. и = п.

Lry, = 2locc9 МАКС- = t Гц, dly/dt 2 А/мкс,

? = 20мкс. Гп = +125Х..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 X

Температура корпуса.......................................... -60...+85 X

МТ2-16

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергий. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. [Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цели. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 150 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при = 3,14.сР.МАКС. и = 10 МС

Тг, = +25 X, не более......................................... 1,45 В

Отпиршощее постоянное напряжение управления при б'зс = 12 В, Гп = +25 X,

у,от~-0,1 А, не более.......................................... 3,5 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при i/зси = Цс,л- Л-у =

п-+125 X, не более........................................ 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток при = и = 7- = +125 X,

более............................................................. 5 А

MT2-U

-o7 -o6

-□5 -o4

Отпирающий постоянный ток управления

при зс = 12 В, Гп = +25 X, не более................. 100 мА

Время включения при Ut: и ~ 300 В,

/оси ~ /ос ср МАКС ПР И ~ 4 А,

d/y/dt= 5 А/мкс, dfoc/dt= 25 А/мкс.

Гу = 10 мкс, Гп = +25 X, не более....................... 10 мкс

Время выключения при Uc и ~ 0,67 л

c/i/3c/dt = [dU/dtU, Uosp и = ЮО В, J

4f и = /ос. ср макс dc/f= 25 А/мкс, J

{d/oc/dt)cn = 5 А/мкс, Гп = +125 X, не более .... 100 мкс Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,9 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 400... 1400 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,126с,п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,7Цс.п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии......................................................... OSL/jcn

повторяющееся импульсное обратное

:,;ение...................................................... 400...1100В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение......... ..............................................

рабочее импульсное обратное напряжение....... О.УУц^р п

Постоянное обратное напряжение..................... 0.5tEiP,n

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при {/з^и = 0,Ыис.п,

п = Гп = +125Х........................................... 50...

1000 в/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при 50 Гц, р = 180=. Гк = +85 Г................... 16 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при UobP = о, Гц = 10 мс,

Гп = +125°С....................................................... 600 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при 6/,c, и - ЗС, П'

/ог и = 2/ос CP МАКС, 1 Гц. dly/dt= 2 А/мкс,

fv = 20MKC, Гп = + 125Х..................................... 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +125 X

Температура корпуса.......................................... -60...+85 X

МТ2-25

Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных тиристоров р-п-р-п. Предназначены для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей. Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 150 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /ос , = 3.14/ос CP мАчс. = 10 мс,

/л-+25X, не более......................................... 1,4 В

-тпирающее постоянное напряжение управления при = 12 в, Гп = +25 X, . 01 - 0,1 А, не более.......................................... 3,5 В

MJ2~25

25 . 25 15

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при i/зс, и ~ зс, п. fv

7п = +125 С, не более........................................ 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

f4>H i/obP. и = оБР. п. /?у = . ? п = +125 X,

не более............................................................. 5 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при Узе - 12 В, Гп =+25 X, не более................. 100 мА

Время включения при У,г и - 300 В,

4с. и - 4г. СР, МАКС ПР. и ~ 4 А,

df/cit= 5 А/мкс, dioc/dt- 25 А/мкс,

fy - 10 мкс, Гп = +25 X, не более....................... 10 мкс

Время выключения при У,с.и = 0,67Узс п dU/dt idUc/cft)y,p, оБР.и = 100 В. 4с, и = 4с сР.мАкс. tf4c/flf= 25 А/мкс,

id/oc/dt)cn = 5 А/мкс, Гп = +125 X, не более .... 100 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,6 Х/Вт