Ток удержания при /?у = , не более.................. 50 мА

I лгпыоающий постоянный ток управления /7 = 12 в................................................... 80 мА при изе Неотпирающий постояняии ток уприБлс1;г(я

npHi/3CH = 0,67y3c.n.AV=lOOM,

J +100 С, не менее........................................ 3 мА

Время включения при t/jc. и ~ 100 В, 1 S 14,1 А, /у и = 0,5 А, fv HP - 1 мкс,

f = 50 мкс, не более........................................... 10 мкс

Время задержки при Цс и ~ В, 1 = 14,1 А, А.и = 0.5 А, = 1 мкс,

= 50 мкс, не более........................................... 5 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 2 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 100...1000 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии....................................... 1,12Узс п

рабочее импульсное напряженне в закрытом

согтоянии........................................................... 0,8 (/у п

Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии........................ 0,6

Напряжение развязки между силовой и управляющей цепями............................................. 2000 В

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (в тиристорном режиме работы) при i/,r и = 0.67£/)с п. - Г„ = +100 С:

группа 1........................................................ 20 В/мкс

группа 2........................................................ 50 В/мкс

группа 3........................................................ 100 В/мкс

группа 4..................................................200 В/мкс

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при = 0,67£/,г, л,

ки = 14,1 А, Гц = 10 мс, и = 0,5 А,

dly/dt 1 А/мкс, fy = 50 мкс, Гп = +100 X:

Фуппа 1........................................................ 1 В/мкс

ФУппа 2........................................................ 5 В/мкс

Максимально допустимый действующий ток

в открытом сосгоянии при f- 50 Гц,

Р= 180. Гк = +80Х.............. ......................... 10 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при t/оБР - О, Ги = 10 мс,

Гп = +100Х....................................................... 100 А

Критическая скорость нарастания токэ

в открытом (юстоянии при £/зс и ~ 0,67£ ni

/оси = 14,1 А, 1...5 Гц, fy ц = 0,5 А,

А нр= 1 мкс, Гп = +100Х.................................. 70 А/мкс

Температура перехода....................................... +100 X

Температура корпуса.......................................... -50...+80 X

Типономиналы допускают произвольное сочетание классификационных параметров.

Т0125-12,5

Тиристор оптронный (оптотиристор) кремниевый диффузионный р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в пластмассовом корпусе фланцевой конструкции. Анодом является медное основание. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов диода приводится на корпусе.

Масса не более 24,4 г.

Т0125-12.5 55

Электрические параметры

импульсное напряжение в от крь,том согтоянии при .и - ЗУ А, , - 1u мс,

не более............................................................. 1.4 Ь

Отпирающее постоянное напряжение управления при t/зс = 12 В, не более:

V==-50-Cot=100mA............................ ЗВ

Гп-+25 С,<от = 80мА.............................. 2,5 В

Неотпирающее постоянное напряжение управления при Узс.и = 0,67Узс.п- = 10 Ом,

7+110Х, не менее........................................ 0,9 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом

состоянии при Узс,и Узс.п М- =

7 = +110 С, не более........................................ 3 мА

Ток удержания при Ujc, = 12 В, > =

не более ........................................................... 30 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при УоБР,И ~ обр,п fy~f Tfi = +1 10 °С,

не более............................................................. 3 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при t/зс = 12 В, Гп = +25 С, не более:

7;, = -50 X.................................................. 100 мА

Гп = +25 X.................................................. 80 мА

Неотпирающий постоянный ток управления

при Узс,и = 0.б7(/зс,п, >?у = 10 Ом,

Г[, = +110 X, не менее........................................ 2 мА

Время йключения при i/f и = 100 В, /оси = 12,5 А, пр.и = 0,5 А, tynp = 1 мкс,

ty = 50 мкс, не более........................................... 10 мкс

Время задержки при Uc = 100 В, ос,и- 12,5 А, /,пр,и=*0,5 А, ?у,нр= 1 мкс,

ty ~ 50 мкс, не более........................................... 5 мкс

Время выключения при Uc и = 0,67ic п> к и = 12,5 А, di dt = 50 В/мкс,

ЦзъР.и = 100 В, Гп = +110 X, не более............... 100 мкс

Сопротивление изоляции оптопары,

не менее............................................................. 1000 МОм

Тепловое сопротиаление переход-корпус,

не более............................................................. 1,5 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

закрытом состоянии........................................ 100...1400 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии............-.......................... 1,12Цс.п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

паи

Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии ............................. >2С.п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 100...1400 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение.......................... ............................ 1,12У(да. □

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,8Ц^

Максимально допустимое постоянное обратное напряжение.................................................. 0,66Ьбр.п

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при f= 50 Гц, р = 180°,

Гк=+85С........................................................ 12,5 А

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f= 50 Гц,

3= 180°, Гк = +85 X......................................... 19.6 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Уобр = О, Гц = 10 МС,

Гп = +110Х....................................................... 350 А

Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при Узе, и - 0,67 Узе п.

/оси = 25 А. f= 1...5 Гц, пр,и = 0,5 А,

fy нр= 1 мкс, fy = 50 мкс, Гп = +ПОХ................ 100 А/мкс

Температура перехода....................................... +110 X .

Температура корпуса.......................................... -50...+85 X

Т0132-25, Т0132-40

Тиристоры оптронные {олтотиристоры) кремниевые диффузионные р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления (излучающего диода) приводится на корпусе.

Масса не более 25,5 г.

ГОШ'25. т32-40

Точка измервиия Тк 0/

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при .и ~ 3,14 CP цдко 4i ~ 10 мс,

не более:

Т0132--25.....................................................

ТО132-40.................-........................-.....

Отпирающее импульсное напряжение управления при = 12 В, не более..........................

Неотпирающее постоянное напряжение управления при Уэс,и = зс,п- Tfi = +100 X,

не менее............................ ......-.......................

Повторяющийся импульсный ток в зак|М)ГТом состоянии при Узе, и = Узсп -

Гп = +100 Х, не более -..... ..............

Повторяющийся импульсный обратный ток

при УоБР.И iOBP.n. fv = Гп = + 100 X,

не более .............................................................

Отпирающий постоянный ток управления

при Уз(- = 12 В, не более .................................

Электрическая прочность изоляции между

силовой и управляющей цепями, не менее.........

Тепловое сопротивление переход-корпус, не более:

Т0132-25.....................................................

ТО132-40.....................................................

1.85 В 1.75 В

2,5 В

0,9 В

3 мА 150 мА

0,7 Х/Вт 0,47 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

8 закрытом сосгоянии........................................ 600...1200В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1.12Л;п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... O.etc.n

Максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии............................. 0.6Узс.п

Повторяющееся импульсное обратное напряжение ................................................................. 600... 1200 В

Неповторяющееся импульсное обратиое

напряжение........................................................ 1,12Уобр,п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,8Уобр,п

Максимально дшустимое постоянное обратное напряжение.................................................. О.бСьр.п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U и ~ fiTfJx nt /?у = , Гп = +100Х:

группа 1........................................................ 20 В/мкс

группа 2........................................................ 50 В/мкс

группа 3........................................................ 100 В/мкс

Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при = 50 Гц, р = 180°, Гк = +70 X:

Т0132-25..................................................... 25 А

Т0132-40..................................................... 40 А

Максимально допустимый действующий ток

в открытом состоянии при f~ 50 Гц,

р= 180°, Гк = +70 °С:

Т0132-2 5..................................................... 39 А

Т0132-40..................................................... 63 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом

состоянии при Uoep = о, = 10 мс,

Гп = +100 X:

Т0132-25..................................................... 600 А

ТО132-40 ..................................................... 750 А

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии при i4r..M 0,б7/зсп

4с, и - 24с ср, МАКС ~ Гц, , ПР, и 0,5 А,

Су HP - 1 мкс, ty = 50 мкс, Гп = + 100 X................ 40 А/мкс

Температура перехода....................................... +100 °С

Температура корпуса.......................................... -40...+70 X

Чистота обработки контактной поверхности охладителя не хуже 2,5. Время пайки выводов управления паяльником мощностью 50...60 Вт при температуре припоя до +220 X не должно превышать 5 с. Закручивающий момент не более 6 Н-м-

2Т0132-25, 2ТО132-40

Тирнсторы оптронные (оптотиристоры) кремниевые диф-.-...лнные р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: **1емниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий Гдд объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления (излучающего диода) приводится нв корпусе.

Масса не более 25,5 г.

Точка измерения Тк

2Т0Ш~25. 2T01J2-W

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открьп-ом состоянии при /оси = 3,14 ср.макс. ty* = 10 мс, не более;

2Т0132~25................................................... 1,85 В

2ТО132~40................................................... 1,75 В

Отпирающее импульсное напряжение управления при = 12 В, не более:

7 п = -60 С.................................................. 3 В

Тп+гз-С.................................................. 2,5 В

Неотпирающее постоянное напряжение управления при и = i/зс п- 7 п = +100 Т, не менее........................................................ 0,9 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом )стояниипри/зс =Уз ,=

П-+100 С, не более........................................ 3 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток

при 6/оБр,и= t/obP.n. /у^ . 7 п = +100Х,

не более............................................................. 3 мА

итиригищии иМГ|уЛоСНЬ!И ТОК уПрйВЛСНИЯ

при = 12 в, не более:

Гп = -60 X.................................................. 300 мА

Гп = +25Х.................................................. 150 мА

Неотпирающий постоянный ток управления

при 7 = +100 X, не менее................................. 3 мА

Ток включения при Гр = +25 X, не более.......... 100 мД

Ток удержания при Т;, =+25 X, не более.......... 50 мА

Время включения при Гп = +100 X, не более:

группа 3........................................................ 160 мкс

группа 4........................................................ 100 мкс

группа 5........................................................ 63 мкс

Сопротивление изоляции между гальванически

развязанными электродами, не более................ 10 МОм

Тепловое сопротивление переход-корпус, не более:

2Т0132-25................................................... 0,7 Х/Вт

2ТО132-40................................................... 0,47 Х/Вт 1

Предельные эксплуатационные данные \

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 600...1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12/зс п

Рабочее импульсное напряжение в закрьггом

состоянии................................... ...................... 0,8Цс,п

Постоянное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,6 п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 600... 1200 В

Неповторяющееся импульсное обратное j

напряжение........................................................ 1г124бр.п j

Рабочее импульсное обратное напряжение....... ,Цхр,п

Постоянное обратное напряжение..................... ,овс,п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U-c и 0,67ic п, /?у = ~, 7г, = +100Х:

группа 2........................................................ 50 В/мкс

группа 3........................................................ 100 В/мкс

группа 4........................................................ 200 В/мкс

группа 5........................................................ 320 В/мкс

ггрпний ток в открытом состоянии

РТ==50Га.Р=180\7-к = +70 О

Р%т0132-25................................................... 25 А

- . df) А

I I и...................................................

п^йгтвующий ток в открытом состоянии Г/=50Гц,Р = 180,Гк = +70Х:

270132-25.................................................. 39 А

2ТО132-40................................................... 63 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при t/np = О, = 10 мс, г =+100Х:

2Т0132-25................................................... 500 А

2Т0132-40................................................... 700 А

Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при i/зс, и = 0,676/зс. п.

/ос и 2/ос,СР.МАКС, 1- у.пр.и ~ 0,5 А,

fp = 1 мкс, = 50 мкс...................................... 32 А/мкс

Температура перехода....................................... +100 X

Температура корпуса.......................................... -60...+70 X

Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна 6ы1ь не более 3,2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке оптотиристора с охладителем рекомендуется покрывать поли-метилоксановой жидкостью или пастой КПТ-8, В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием оптотиристора щуп 0,03 мм не должен проходить. При эксплуатации оптотиристоров необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений. Запрещается изгибать выводы оптотиристора.

ТО142-50, Т0142-63, ТО142-80

Тиристоры оптронные {оптотиристоры) кремниевые диффузионные р~п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод - объединены в одну конструкцию. Предназначены для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовь(ми выводами. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления (излучающего диода) приводится на корпусе.

Масса не более 48,5 г.

T0U2-50. T0U2-6J. T0U2-80

Точка измерения Тк 0/

rVift-

т

Электрические параметры

Импульсное нёшряжение в открытом состоянии при /оси = 3,144с.СР.МЛКС. и = 10 мс, не более:

ТО142-50..................................................... 1,85 В

Т0142-63, ТО142-80 ................................... 1,75 В

Отпирающее импульсное напряжение управления при ~ 12 В, не более.......................... 2,5 В

Неотпирающее постоянное напряжение управления при 4с,и~Цс.п 7 = +100Х,

не менее............................................................. 0,9 В

Электрическая прочность изоляции между

силовой и управляющей цепями не менее......... 3 кВ

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при 6/зси ~ ЗС,п У ~

Гп = + 100 С, не более........................................ 5 мА

Повторяющийся импульсный обратный ток при /Уобр, и = U)6P, п- =

7; = +100 X, не более.............................-......... 5 мА

Отпирающий импульсный ток управления

при f4c - 12 В, не более.................................... 150 мА

Тепловое сопротивление переход-корпус, не более:

ТО142-50..................................................... 0,36 Х/Вт .

Т0142-63..................................................... 0,3 Х/Вт

Т0142-80..................................................... 0,24 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное иапря}1 ние

в закрытом состоянии................................ ... 600...1200 В

Неповторяющееся импульсное нгшряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12ic.n