к и. А

а и и wUocH.B

Зависимости импульсного тока а открытом состоянии от импульсного напряжения

О

1.2 и 1.6 тоси.в

Зависимоеги импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения

2.S 2.8

15 1.0 0.5

Оу.при.В

2.5 2.0 1.5 1.0 0.5

8 50 100 150 288 250 /у,А О 0.2 8.4 0.6 0.8 1упр.и.А

Зоны возможных положений постоянного напряжения управления постоянного тока управления

Зависимости импульсного прямого напряжения управления от импульсного тока управления

20 10 В

10 20

мкс

Зависимости импульсного отпирающего тока уг1раа?1ения от длительности импульса

1у.от.и/1у.от.и ООО икс)

Зависимости импульсного отпирающего гока управления от длигельности импульса

loc тр. X А

5 4 5 6 7UmC

Зависимости импульсного тока включения от импульсного прямого гока управления

li/.nP.H.MA

Зависимости импульсного тока включения от импулисного прямого тока упракления

L I 2 1

tsa/tsm.zsAi-teK/i/tsKwsAj

ОЛЬ 0.25 0.35 OAS 1упр ц.А

Зависимости времени включения и времени задержки от импульсного прямого тока упрааления

/ [щ/i вКАНАМС) -tsu/t зла А /к-rrl

103 100

и OA 0.6 08 dl,/dt А/мкс

Зависимости времени включения и времени задержки от скорости нарастан*1я тока управления

и

V 0.9

07 0.5

о 0,2 OA 0.6 1упр.и.А

Зависимости времени Ештгочения и времени задержки от импульсного прямого тока управления

1.08

т

1.00 0.96

2 OA 0.6 0.8 d!u/diA/MKC

Зпвисимости времени включения и времени задержки от скорости нарастания тока управления

-Ш -25 О 25 50 75 Тр. V -40-25 в 25 50 75 Тп. Г

Зависимость постоянного тока удержания ог темперагуры перехода

Зависимость постоянного тока удержания от температуры перехода

0.9 0.8 0.7

0.6 0.5

02 0.4 0.б1осм/!оссрнАХ

Зависимости времени нарастания и времени вклгочения от импульсного тсжа а огкрытом состоянии

8.9 0.8 0.7 0.6 0.5,

0.25 0.50 hcii/locxp MAX

Зависимости времени нарастания и времени включения от импульсного тока в открытом состоянии

teiKJi/tgtiitm?) 12

0.2 0.4 0.6 0.8 UUscH/Uscn 8.2 0.4 0.6 8.8UxMAJxn

Зависимость времени выключения от постоянного напряжения В закрытом состоянии

Зависимость времени выключения от постоянного напряжения в закрытом состоянии

tm/j/tsbiumge

BtJKJ4m ВАШ!:)

4dUx/dtkp.BMKC 0 4dU3c/dtkp.B/MKc

Зависимость времени выключения от скорости нарастания напряжения в закрытом с<х:тоянии

1ви(яЛш1Л(т В) 18

Зависимость времени вь1ключения от скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии

и

1.2 1.0

(вшйАшжлпю В)

20 40 60 80 тОобР.В

Зависимость времени выключения ог налряжения переключения

1.0 0.9 0.0

40 80 120 UcL-.B

Зависимость Времени вы слк>чени>1 от напряжения переклкэчения

0.95

Зависимиств времени выключения от скорскти нарастания тока в открытом состоянии

Зависимость времени выключения

от скорости нарастания тока 3 открытом состоянии

0.7 06

20 Ш 60 80 Тп.Т

Зависимость времени выключения от температуры перехода

а

10 О.В

0.6 0.1.

О S 10 15 (dlecMkn. А/мкс

Зависимость времени обратного восстановления от скорости нарастшия гока в открытом состоянии

О 5 10 15 (di3c/dt)cn> А/мкс

Зависимость времени обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом сосгоянии

ОвОС.06р/ОвОС.ОБР(5ЛА <с)

1.50 1.25

и

О 0 (dk/dtkn. А/мкс

Заю1симостъ заряда переключения от скорости нарастания гока в открытом состоянии

Q вое ОВР /Q BOC.OSPfSAAfKcl

(ёУзМУ.В/мхс

A 12

1.0 0.8 0.6 O.i 0.2

702-40

Ш

WO 60 40

8 5 10 IS 20{(}lQcJbtknMtiKC V 0.4 0.6 0.8 UjcAJjco

Зависимость заряда обратного восстановления от скорости нарастания тока в открытом состоянии

Зависимости скорости нарасгания напряжения в закрытом состоянии or постоянного налряжения

Zm-HiX/Sni

Т02-10

Zm-K). Т/Вт

Зависимости переходною теплового сопротивления пераход-корпус от времени

Zm-K) Х/Вт

702-40

(П-ю, Т/Вт

Зависимости переходного теплового сопротивления переход-корпус от времени

ТО125-10

Тиристор оптронный (оптотиристор) кремниевый диффузионный р-п-р-п. Два полупроводниковых элемента: кремниевый фототиристор и арсенидгаллиевый излучающий диод --объединены в одну конструкцию. Предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии,

Выпускаются в пластмассовом корпусе фланцевой конструкции. Анодом является основание. Обозначение типономинала и полярности выводов и выводов управления (излучающего яиода) приводится на корпусе. Масса не более 24,4 г.

rOI25-W 33

Тип

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /оси ~ 31,4 А, Гц = 10 мс,

не более............................................................. 1,4 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при ~ 12 В, 7 п = +25 °С,

/у QJ = 80 мА, не более........................................ 2,5 В

Неотпирающее постоянное напряжение управления при t/,r.m - 0,67£/зе п' - 10 Ом,

Гп = +110 С, не менее........................................ 0,9 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом

состоянии при t/г,t1 ~ ЗСП' ~

71 = +110 с, не более....................................... 3 мА

Ток удержания при t/зс и ~ 12 В, /?у = оо,

не более............................................................. 30 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при Ujc = 12 В, Гп = +25 X, ие более................. 80 мА

Неотпирающий постоянный ток управления при - 0,67f4cn. = 10 Ом,

Гп= +110 X, не менее........................................ 2 мА

RneMfl включения при t/зс.и = 100 В, / :в10АЛпр,и = О,5А, Гу.лй=1мкс,

,=50 мкс, не более........................................... 10 мкс

Время задержки при ijcvt - i В, Г' 10 А, /у.пР.и = 0,5 А, fy.np = 1 мкс,

f = 50 мкс, не более........................................... 5 мкс

Время выключения при Узс.и = 0,б7(/зс,п, / := 10 А, dU/dt= 50 В/мкс,

,/ = 100 В, Тп = +110 X, не более............... ЮО мкс

Сопротивление изоляции оптопары, не менее .... 1000 МОм

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 1,5 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 100...1400 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12 Uc, п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,8Цс,п

Постоянное напряжение в закрытом состоянии............................................................... 0,6 Узе. п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 100...1400 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12Уобр,п

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,8 (брп

Постоянное обратное напряжение..................... 0.6бр,п

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при - OfiJU-- п,

/?со, Гп = +110Х..................................;......... 20...

500 В/мкс

Средний ток в открытом аэстоянии

при^=50Гц, Р= 180°, 7 к = +85Х................... 10 А

Действующий ток в открытом состоянии

при f= 50 Гц р = 180°, 7к = +85 X................... 20 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Уоьр = о, Гц = 10 мс,

7п = +110Х....................................................... 250 А

Критическая скорость нарастания тока а открытом состоянии при £с. и = 0,67п.

= 20 А, f= 1...5 Гц, 1, пр.и = 0,5 А, ,пр = 1 мкс, ty ~ 50 мкс. Гп = +1Ю X ..

100 А/мкс

Температура перехода....................................... +110 °С

Температура корпуса.......................................... -60..,+й5 °С

ТСО-10

Тиристор симметричный оптронный (оптосимистор) кремниевый диффузионный р-п-р-п-р. предназначен для применения в помехоустойчивых схемах автоматики и в цепях постоянного и переменного токов преобразователей электроэнергии. Выпускаются в пластмассовом корпусе фланцевой конструкции. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса ие более 24,4 г.

Электрические параметры

Импуя1к:ное напряжение в открытом состоянии при Iqc \л - 14,1 А, Гц ~ 10 мс,

не более............................................................. 1,85 В

Отпирающее гюстоянное напряжение управления при = 12 В, fy от = 80 мА,

не более............................................................. 3 В

Неотпирающее постоянное напряжение управления при f/jc.M = 0,67Цс.п, fiv - 10 Ом,

Гп = +100 С, не менее........................................ 0,75 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом

состоянии при £/зси - Узс.п, -

7 ~ +-t00 С, не более........................................ 3 мА