икции С жесткими силовыми выводами. Анодом явля- основание. Обозначение типономинала приводится на

ко ется

корпусе-

2ТСШ-50, 2ТСН2-80

Упрабшщий электрод AhqL I-h

/ owg измерения Тл

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при *Ьс,и = 1.41 (,с.д МАКС, (и = 10 мс,

не более............................................................. 1,8 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при С/зс - 12 В, не более:

Гп = -60 X, /, от = 0.6 А (для 2ТС132-50)... 8 В Гп = -60 X, fy от = 0-6 А (для 2ТС142-80)... 9 В Гп = +25 X, от = 0,2 А (для 2ТС132-50)... 4 В Гп = +25 X. fyoi = 0,2 А (для 2ТС142-50)... 4,5 В Неотпирающее постоянное напряжение управления при Ujc и ~ зг. f?f fy ~ Ю Ом,

Гп =+125 X, не менее..;..................................... 0,25 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при Цс.и = эс п. - > Гр = +125 X, не более:

2ТС132-50................................................... 5мА

2ТС142-80................................................... 7мА

Отпирающий постоянный ток управления при 6/зс= 12 В, не более:

Гп = -60 X.................................................. 0,6 А

Гп = +25Х.................................................. 0,2 А

Неотпирающий постоянный ток управления Р'] Цс,и= t/3c,n./?y= ЮОм,

п -+125 X, не менее........................................ 2 мА

Время включения при t/jc, и = 100 В,

/оси = /осд.мАкс. .и = 0-3 А, <ily/<it= 1 А/мкс,

= 50 мкс, не более........................................... 12 мкс

Время задержки при Ц^, и ЮО В,

4си = /осдмАкс. ,и = 0.3 А, dfy/dt= 1 А/мкс,

Гу = 50 мкс, не более........................................... 5 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус, не более;

ТС 132-50..................................................... 0,52 Х/Вт

ТС 142-80 ..................................................... 0,34 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 100... 1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,1Шзс □

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,8 (с.п

Постоянное импульсное напряжение в закрытом состоянии .............................................. 0,6 зс,и

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при U- =0,б7/Узс,п. /?у = оо, 7 п = + 125Х;

группа 1........................................................ 50 8/мкс

группа 2................................-...................... 100 В/мкс

группа 3........................................................ 200 8/мкс

группа 4........................................................ 320 В/мкс

группа 5 ........................................................ 500 В/мкс

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при f/c = 0,67/Узг,П' 4с и = /ос дмАко и = 0.5 А, dfy/dt= 1 А/мкс, Гу = 50 мкс, /?у = 50 Ом:

группа 1........................................................ 6,3 В/мкс

группа 2........................................................ 10 В/мкс

группа 3........................................................ 16 В/мкс

группа 4........................................................ 25 В/мкс

Обратное постоянное напряжение управления .................................................................. 0,2 В

Действующий ток в открытом состоянии при /= 50 Гц, Р = т\ Гк = +85 X:

ТС132-50..................................................... 40 А

ТС 142-50..................................................... 70 А

-.й неповторяющийся ток в открытом сиянии при и>.р = 0.Г„=10мс,

кШЬ..................................................... 200 А

ТС142-80..................................................... 330 А

Критическая скорость нарастания тока

ткпьгтом состоянии при f/31: и - 0,676/зс.п-о s: 50 Ом, Гу HP = 1 Гу = 50 мкс,

7=+125Х:...............................-..................... 63 А/мкс

Минимально допустимый импульсный ток

управления ......................................................... 0,45 А

Максимально допустимый импульсный ток

управления......................................................... 4 А

Температура перехода....................................... +125 °С

Температура корпуса.......................................... -60...+85 С

Для предохранения симистора от повреждений пайку изолированных выводов производить в течение времени не более 5 с паяльником мощностью 50...60 Вт припоем, температура плавления которого ие превышает 220±5 С без применения кислотных флюсов. Место пайки монтажных лроводов-поверх-ность лепестков или обжатая часть поверхности выводов.

Для обеспечения теплового и электрического контакта шероховатость контактной поверхности охладителя должна быть не более 3,2 мкм. Сопрягаемые поверхности при сборке симистора с охладителем рекомендуется покрывать полиметилсилоксановой жидкостью или пастой КПТ-8. В зазоры между охладителем и лепестком, лепестком и основанием симистора щуп 0,03 мм не должен проходить. При эксплуатации симисторов необходимо периодически очищать поверхность стеклоизолятора от пыли и других загрязнений.

ТС142-63, ТС142-80

Тиристоры симметричные (симисторы) кремниевые диффузионные р~п-р-п-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе штыревой конструкции с жесткими силовыми выводами. Символическим энодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 53 г.

таи-61 тсш-80

Упрабляюший Анод I-I

0t.S

\Komod Точка измерения Тж

33

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /оси = 1.4 14с. д. МАКО

Ги 10 мс, не более........................................... 1.8 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при = 12 В, не более:

7-п = -60Х,/уот = 0,55А............................. 8,3 В

Гп = -50Х. VoT=0.48A............................. 7,5 В

Гп=+25Х, j;,oT = 0.2A............................... 4,5 В

Неотпирающее постоянное напряжение

управления при U и ~ п. ~ Ю Ом,

Гп = +125 X, не менее........................................ 0,25 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом

состоянии при 6/зг и зсп У ~

7 п = +125Х,не6олее........................................ 7 мА

Отпирающий постоянный ток управления

при - 12 В, не более:

Гп = -60Х.................................................. 0,55 А

Гп = -50 X.................................................. 0,48 А

7 п = +25 X.................................................. 0,2 А

Неотпирающий постоянный ток управления

при У,с, и - к, п. ?у = 10 Ом,

Гп =+125 X, не менее........................................ 2 мА

Время включения при Uc.w ~ ЮО В,

4с, и = 4с д, МАКО k и = 0,3 А, di,/dt = 1 А/мкс,

Гу = 50 мкс, не более........................................... 12 мкс

Время задержки при £/зс. и = ЮО В,

4с,и = 4с,дмАко = 0,3 А, dl,/dt= 1 А/мкс,

Гу = 50 мкс, не более........................................... 5 мкс

Y пловое сопротивление переход-корпус,

ТС142-63 ..................................................... 0,44 Х/Вт

--С142-30..................................................... 0.34 Х/Бт

Предельные эксплуатационные данные

- дтоояющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 100... 1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1.11Цс.п

рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,8W,c,n

Максимально допустимое постоянное импульсное напряжение в закрытом состоянии..... 0,bUy:v,

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Uc и - 0,67 Цс п. = Гп-+125 X:

группа 1........................................................ 50 В/мкс

группа 2........................................................ 100 В/мкс

группа 3........................................................ 200 В/мкс

группа 4........................................................ 320 В/мкс

группа 5........................................................ 500 В/мкс

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при i/jc, = 0,67 fc, п. си = ос д,мАко и = 0,5 А, dl/dt= 1 А/мкс, % = 50 мкс, Ry = 50 Ом, Гй = +125 X:

группа 1........................................................ 2,5 В/мкс

группа 2........................................................ 4 В/мкс

группа 3........................................................ 6,3 В/мкс

группа 4........................................................ 10,? В/мкс

группа 5........................................................ 16 В/мкс

группа 6........................................................ 25 В/мкс

Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления............................... 0,2 В

Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при f = 50 Гц, р = 180, Гк = +85 X:

ТС 142-63..................................................... 63 А

ТС 142-80..........................................:.......... 80 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом

состоянии при i/oBP = о, ?и = 10 мс,

п = +125 X:

ТС132-63..................................................... 500 А

ТС142-80..................................................... 550 А

Критическая скорость н+арастания тока в открытом состоянии при изс.\л ~ 0.67Цс.п 4с,и ~ 2/ос диАИС' f~ Гц, ,н~ 0,5 А, Ry - 50 Ом, hp ~ 1 mkl, 1у - 50 мкс,

7п = +125Х;...................................................... 63 А/мкс

Минимально допустимый импульсный ток

управления......................................................... 0,45 А

МакС14мально допустимый импульсный ток

управления......................................................... 4 А

Температура перехода....................................... +125 X

Температура корпуса:

для исполнения УХЛ.................................... -60...+85 X

для исполнения У......................................... -50...+85 X

Чистота обработки поверхности охладителя не хуже 2,5. Время пайкн выводов паяльником мощностью 50..,60 Вт при температуре припоя до +220 X не должно превышать 5 с. Закручивающий момент не более 10 Н-м.

ТС80, ТС125, ТС160

Тиристоры симметричные (симисторы) кремниевые диффузионные р-п-р-п-р. Предназначены для применения в системах и устройствах бесконтактной коммутации и регулирования электроэнергии, а также в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе шть1ревой конструкции с гибкими силовыми выводами. Символическим анодом является основание. Обозначение типономинала приводится на корпусе.

Масса не более 480 г.

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при /оси = 1r41/f,r д Акс. и = Ю мс, не более:

ТС80............................................................. 2.3 В

ТС125 ........................................................... 1,46 В

ТС160 1,45 В

Пороговое напряжение при 7 = +110 X,

не более:

ТС80 ............................................................. 1,45 В

ТС125........................................................... о,адв

ТС160........................................................... 038 В

TC80, rem. 1060

Упрадляющий

элетроО \ Ш

Отпирающее постоянное напряжение управления при Ujc = t2 В, не более:

7п = -50ХЛот = 0,8 А............................... 10 В

Гп = +25 X, от = 0,4 А............................... 5 В

Гп = +110ХЛ,от = 0,25А........................... 4В

Неотпирающее постоянное напряжение управления при Ujc и ~ jc п. - 20 Ом,

Гп =+110 X. не менее........................................ 0,3 В

Повторяющийся импульсный ток S закрытом

состоянии при U-ic и = i/jf Пг У ~

Гп = +110Х, не более........................................ 20 мА

Ток удержания при >?у = < , не более.................. 0,2 А

Ток включения при i/ - 12 В, и ~ 1 А,

dfy/dt~ 1 А/мкс, ty = 10 мкс, не более.............. 0,25 А

Отпирающий постоянный ток управления

при = 12 В, не более:

Гп = -50 X .................................................. 0,8 А

Гт, = +25Х.................................................. 0,4 А

Гп = +110Х................................................. 0,25 А

Неотпирающий постоянный ток управления

!Р эси-Цсп.>?у = 20Ом,

п-+110Х,неменее........................................ 10 мА

Время включения при i/jc = 100 В,

4с.и = 4с.дмАко .и = 2 А, dl/dt= 2 А/мкс,

Гу = 50 мкс, не более........................................... 20 мкс

время задержки при fc. и ~ ЮО В,

4с.и = 4с дмакс- h. = 2 А, dk,/dt- 2 А/мкс,

Гу = 50 мкс, не более........................................... 10 мкс

Время выключения (в тиристорном режиме работы) при (Узе, и = 0.6713, п. dU,/dt idUc/dt)?. 4бр.и = 100 В, 4с.и = 4с,д,МАксг (о'4с/о'0сп - 0,1 А/мкс,

Гп = +110Х, не более........................................ 70...250 мкс

Динамическое сопротивление в открытом

состоянии при 7 = +110 Х, не более:

ТС80............................................................. 8 мОм

ТС125........................................................... 3 мОм

ТС 160........................................................... 2,4 мОм

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более:

ТС80,ТС125 .................................................. 0,25 Х/Вт

ТС160........................................................... 0,2 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 100...1200 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,16ic п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... 0,8(/зс р

Максимально допустимое постоянное импульсное напряжение в закрытом состоянии..... 0,75i/ic,n

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (в тиристорном режиме работы) при fc и ~ О,670з( п

/?У = оо, Гп = + 110Х............................................ 10...

1000 В/мкс

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения при Ujc, и ~ зс, п. /оси = 4сдмАкг. (С/ос/с'Осп = 0,1 А/мкс,

Ry = oo, Гп = + 110Х............................................ 5...50 В/мкс

Максимально допустимый действующий ток

в открытом состоянии при =50 Гц,

(3= 180°, 7к = +70Х:

ТС80............................................................. 80 А

ТС125 ........................................................... 125 А

ТС160........................................................... 160 А

й неповторяющийся ток в открытом

Тоянии прии.вР = 0. и=10 мс,

TC8U............................................................. 00 А

ТС125 ........................................................... 2000 А

ТС160 ........................................................... 2200 А

Защитный показатель при f6p -О, t = 10 мс,

г +110 X:

ТС80............................................................. 14,4 кАЧ

ТС125................. ........................................ 20 кАЧ

ТС 160........................................................... 24 кАЧ

(критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при и ~ iAc п.

и и = 2<х.д МАКС. Г= 1-5 Гц, и,.и = 12 В.

у^ 20 Ом, с /Уг= 1, /, - 50 мкс, Гп - +110 X .. 5...70 А/мкс

Минимально допустимый импульсный ток

управления......................................................... 2 А

Максимально допустимый импульсный ток

управления......................................................... 10 А

Температура перехода....................................... +110 X

Температура корпуса.......................................... -50...+70 X

Условно анодом симистора принято считать основание, катодом - гибкий силовой вывод. Закручивающий момент не более 45±5 Н-м.

Таблица

СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ

Окоичани

600 SOB

ш soo гоо

о

1.0 го 3.0 io Иоси.В

ш зов т

о

1.0 2.0 3.0 iO UocH.B