Qвое ОБР мкКл

-dhMA/mc

Зависимости заряда ображого восстановления от скоростм спада юка

в открытом состоянии

3- и = 0,51г р

teocosp мкс

в Ю 20 J0 iO SO 60 70 SO W dloc4ft А/мКС

Зависимости заряда обратного восстановления от скорости спада тока в открытом состоянии ~ сч и - -Stc CP 2 ос и ~ or, LPr - и = f- 1 or CP

Рох.ср.Вт

О we 28В SBOIaccP.A

Зависимости средней рассеиваемой мощности от среднего тока при различных углах проводимости

Раар.Вт

Зависимости средней рассеиваемой мощности от среднего тока при различных углах проводимости

IoxhA

kchA

Зааис1МОСТИ импульса тока от Длительности при рдзличной суммарной энергии потерь:

I - 1,0 Дж; 2 - 0.6 Дж;

3 - 0,4 Дж; 4 - 0,2 Дж;

5 - 0,1 Дж; 6 - 0.06 Дж:

7 - 0,04 Дж

Чи.с

Зависимости импульса тока от длительности при ралпичной суммарной энергии потерь.

t - 1,0 Дж; 2 - 0,6 Дж;

3 - 0,4 Дж; 4 - 0,2 Дж;

5 - 0,1 Дж; б - 0.06 Дж

locaA

Завигимости импульса тока от длительности при различной суммарной энергии потерь:

1 - 1,0 Дж; 2 - 0,6 Дж;

3 - 0,4 Дж; 4 - 0,2 Дж;

5 - 0,t Дж

Зависимости импульса тока от длительности при различной суммарной энергии потерь:

1 - 1,0 Дж; 2 - 0,6 Дж;

3 - 0,4 Дж; 4 - 0,2 Дж;

5 - 0,1 Дж

Znn-K/.

о Ю 20 30 W 50 60 /ЗвОизси/изсп.Уо 10

Зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии от прямого напряжения: группы 4, 5, 6, 7 по (dU/dt)y,p

Зависимости переходного теплового сопротивления от времени: 1, 2 - переход-среда при скорости охлаждающего воздуха 1 - О м/с, 2 - б м/с; 3 - переход-корпус

dU,c/dt

отн ed.

h=12SX

Зависимость скорости нарастания напряжения закрытом сосюянии от обратного напряжения и от напряжения е закрытом состоянии

ТБ320, ТБ400

Тиристоры кремниевые диффузионные р-п-р-п. Предназначены для применения в качестве ключевых элементов в цепях постоянного и переменного токов частотой до 10 кГц преобразователей электроэнергии, где требуются малые времена включения и выключения, высокие скорости нарастания тока и напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе таблеточной конструкции. Анодом и катодом служат плоские основания. Обозначение типономинала и полярности си- ловык выводов приводится на корпусе и.на бирке. I

Иасса не более 420 г. I

Электрические параметры

Импульсное напряжение в открытом состоянии при j{jc и = 3,14jtn CP дкс. Си = 10 мс, не более:

ТБ320 ........................................................... 2,8 В

ТБ400........................................................... 2,1 В

Пороговое напряжение при Tj, = +110 С,

не более:

ТБ320 ........................................................... 1,4 В

ТБ400 ........................................................... 1,11 В

Отпирающее постоянное напряжение управления при и^с~ 12 В, не более:

7;i = -50X, <от = 0,85А............................. 8 В

Тп = +25 X, <t or = 0,4 А............................... 5,5 В

Гп = +110Х,/уот = 0,25 А........................... 4 В

ТБ320. ТБШ

Неотпирающее постоянное напряжение управления при i/,c и ~ п. - 5 Ом,

7п = +110 С,неменее........................................ 0,2 В

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии при и^с и ~ Узе

Гп =+110 X, не более....................................... 35 мА

Ток удержания при R-.ne более.................. 80 мА

Ток включения при /у пр, и 2 А,

dly/dt- 5 А/мкс, Гу 10 мкс, не более.............. 0,5 А

Повторяющийся импульсный обратный ток при УпБР и = УоБР, п- Ry- .

Гп = +110Х.не6олее........................................ 35 мА

Обратный ток восстановления

при УоБР.И = 100 В, /оси = 1оС.С? ИАО

(dioc/dt)cn = 5 А/мкс, Гп = +110 X, ие более:

ТБ320........................................................... 180 А

ТБШ........................................................... 195 А

Отпирающий постоянный юк управления

при t/jc = 12 В, не более:

Гп = -50 X.................................................. 0,85 А

П = +25 X ................................................. 0.4 А

Гп = +110Х................................................. 0,25 А

Неотпирающий постоянный ток управления

при i/,r у, = Ry = 5 Ом,

Г, = +110 X, не менее........................................ 2 мА

Время включения при Uc и 300 В,

ог.и ~ пг, СР, МАКС пр и - 20 В,

dl-,/dt~ 5 А/мкс, /?у = 5 Ом, Су = Ю мкс,

не более............................................................. 5 мкс

Время задержки при и - 300 В,

lac.y = /от ср.мако пр и = 20 В, dl/dt 5 А/мкс,

/?у = 5 Ом, Гу = 10 мкс, не более.......................... 1,5 мкс

Время выключения при i/зс и = 0,67Лц- , dU /dt=- (dU,/dt) и = 100 В,

/оси = /ог сР.млко (С/ос/Оат = Ю А/мкс,

Гп = +110 X, не более........................................ 30; 35 мкс

Время обратного воссгановления

для групп по /-[ыкл при (Уовр и ~ 100 В,

/с^ и = /ос ГР макс. (</ос/с^)сп = 10 А/мкс,

Гп = +110 С, не более:

группа 5........................................................ 6 мкс

группа 6........................................................ 1 мкс

Заряд обратного воссгановления

для групп по СвыКЛ при i/agp ц = 100 В,

/оси = /ос мАкг, (С/ос/с'Осп = 10 А/мкс,

Т;, = + 110 X, не более:

ТБ320 группа 5............................................. 320 мкКл

ТБ400 группа 5............................................. 380 мкКл

ТБ320 группа 6............................................. 140 мкКл

ТБ400 группа 6............................................. 165 мкКл

Динамическое сопротивление в открытом

состоянии при 71 = +110 С, не более:

ТБ320 ........................................................... 1,3 мОм

ТБ400 ........................................................... 0,8 мОм

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,0505 Х/Вт

Тепловое сопротивление переход-анод,

не более............................................................. 0,087 Х/Вт

Тепловое сопротивление переход-катод,

не более............................................................. 0,12 Х/Вт

Тепловое сопротивление переход-среда,

не более............................................................. 0,48 Х/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии:

I DOu ........................................................... -

ТБ400........................................................... 300... 1000 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1,12Узс п

Рабочее импульсное напряжение в закрытом

состоянии........................................................... QJUjcn

Максимально допустимое постоянное

напряжение в закрытом состоянии.................... O.SUjc.n

Повторяющееся импульсное обратное напряжение:

ТБ320........................................................... 300...1200 В

ТБ400 ........................................................... 300... 1000 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1,12t/o5p,n

Рабочее импульсное обратное напряжение....... 0,7Уобр,п

Максимально допустимое постоянное

обратное напряжение......................................... 0,5 брп

Критическая скорость нарастания напряжения

в закрытом состоянии при i/j и - 0,67 У^р

/?=1оо, Гр =+110Х............................................ 100...

1000 в/мкс

Максимальное допустимое обратное постоянное напряжение управления............................... 3 В

Максимально допустимый средний ток

в открытом состоянии при f- 50 Гц, Р = 180°,

Т; = +70 С:

ТБ320........................................................... 320 А

ТБ400........................................................... 400 Л

Максимально допустимый действующий ток

в открытом состоянии при f= 50 Гц, Р = 180°,

Гк = +70 X:

ТБ320 ........................................................... 500 А

ТБ400........................................................... 630 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии при Uqsp = 0, Гц = 10 мс, Гп = +110 °С:

ТБ320 ........................................................... 6000 А

ТБ400 ........................................................... 7000 А

Защитный показатель прн = О, f = Юме. Гп = +110Х:

ТБ320........................................................... 180 кА-с

ТБ400........................................................... 245 кА.с

критическая скорость нарастания тока

в открытом сосгоянии при i/jcH зс п-

4с.и ~ 2/ос ср макс. f= 5 Гц, dly/dt= 5 А/мкс,

t = Юмкс. 7; = +П0Х..................................... 100;

200 А/мкс

Минимально допустимый прямой импульсный

ток управления................................................... 2 А

Максимально допустимый прямой импульсный

ток управления................................................... 40 А

Температура перехода....................................... +110 С

Температура корпуса.......................................... -50.. .+70 °С

Таблица

СОЧЕТАНИЕ КЛАССИФИКАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ТИПОНОМИНАЛОВ

Таблеточный корпус тиристора соединяется с охладителем с помощью прижимного устройства, обеспечивающего хороший электрический и тепловой контакт во всем диапазоне рабочих температур. Сборка тиристоров с охладителями должна производиться в соответствии с инструкцией завода-изготовителя. Диаметр контактной поверхности должен быть не менее 45 мм, неплоскостность контактных поверхностей не более 0,02 мм, чистота обработки не хуже 2,5.

Не допускается эксплуатация тиристоров без обеспечения внешнего усилия сжатия со стороны оснований в диапазоне 12000...13000 Н.

Uoc4.B

Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного напряжения

Зависимости импульсного тока в открыюм состоянии от импульсного напряжения

UorB

Зона возможных положений зависимости напряжения отпирания от тока

Од орм В

О

О

lij ПРИ А

Зависимости прямого импульсного напряжения управления от импульсного тока управления

(д вг.и^д О! и (5 пкс)

Зависимости импульсного отпирающего тока управления or длительности импульса управления

ГБ320

hen A

кпА

Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии эг дли тельмости импульса

Зависимости повторяющегося тока в открытом состоянии от дли тельности импульса

кп А

к/7 А

i 6 ew*