Динамическое сопротивление в открытом

состоянии, не более............................................ 1,05 мОм

Тепловое сопротивление переход-корпус,

не более............................................................. 0,1 Х/Бт

Предельные эксплуатационные данные

Повторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 500.., 1100 В

Неповторяющееся импульсное напряжение

в закрытом состоянии........................................ 1.1 п

Постоянное напряжение в закрытом состоянии............................................................... 0,66с,п

Повторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 500... 1100 В

Неповторяющееся импульсное обратное

напряжение........................................................ 1-1Уобр,п

Постоянное обратное напряжение..................... 0,6Уобр.п

Постоянное обратное напряжение управления .................................................................. 5 В

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при t/зс и ~ 0,67Узс пг

/?у=-, 7-п = +125Х........................................... 200...

1000 В/мкс

Средний ток в открытом состоянии

при f= 50 Гц, 3 = 180°, 7 к = +70 X................... 250 А

Действующий ток в открытом состоянии

при f= 50 Гц, р = 180, Т'к = +70 X.................. 375 А

Ударный неповторяющийся ток в открытом

состоянии при Uqp - О, ty\~ 10 мс:

7-п=+25Х.................................................. 5500 А

7п = +125Х................................................. 5000 А

Защитный показатель при Уобр - О, /и = 10 мс,

7 п = +125 X....................................................... 35,6 кА-с

Критическая скорость нарастания тока

в открытом состоянии при и ~ Узе, п.

/оси = 2/ос.ср,ндкс. dl/dt= 1 А/мкс,

f= 1...5ГЦ, Гу= 10 мкс, 7;, = +125Х.................. 630 А/мкс

Минимально допустимый прямой импульсный

ток управления................................................... 0,5 А

Максимально допустимый прямой импульснь1Й

ток управления................................................... 15 А

Температура перехода....................................... +125 X

Температура корпуса.......................................... -60.,.+85 X

Допускается последовательное и параллельное включение тиристоров. Тиристоры, предназначенные для параллельной работы, должны отбираться по значениям импульсного напряжения в открытом состоянии с разбросом в liapiWH ПК би-

лее 0,5 В.

При последовательном соединении тиристоров необходимо учитывать зависимость времени задержки (времени включения] от амп-литуды импульса управления, приведенных в информационных материалах.

/осяА

hccpA

SUocH.B

Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от импульсного-

напряжения 1 = +25 С. 2~ Тп = +125 °С

Зависимости среднего тока от температуры корпуса при различных углах проводимости, 50 Гц

IoccpA

100 ТкХ

Зависимости среднего тока от температуры корпуса при различных углах проводимости, /= SO Гц

Зависимости среднего точа от температуры охлаждающей среды При различных углах проводимости, / 50 Гц

Зависимости среднего тока от температурь! охлаждающей среды прн различных углах проводимости, 50 Гц

hcuA

Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности импульса; 1 - 630 Гц, 2 - 1000 Гц, 3 - 1600 Гц, 4 - 25в0 Гц; 5 4000 Гц, 6 - 6300 Гц

Зависимости импульсного тока в от-крь1ТОМ состоянии от длительности импульса

1 630 Гц, 2 - 1000 Гц.

3 1600 Гц. 4 - 2500 Гц.

5 4000 Гц

Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длительности

импульса; 1 - 630 Гц; 2 - 1000 Гц; 3 - 1600 Гц; 4 - 2500 Гц

Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от длигельности

импульса при температуре окружа-к>щей среды +40 Х: I - 630 Гц; 2 - 1000 Гц; 3 то Гц; 4 - 2500 Гц

6 8

Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока:

1 - 630 Гц; 2 - 1000 Гц;

3 - 1600 Гц; 4 - 2500 Гц;

5 - 4000 Гц; 6 - 6300 Гц

й 3# 2 4 6

dloc/dtA/c

Зависимости импульсного тока в открытом сосгоянии от скорости нарастания тока;

1 - 630 Гц; 2 ~ 1000 Гц;

3 - 1600 Гц; 4 - 2500 Гц;

5 4000 Гц

6 8 10

Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания гока:

1 - 630 Гц; 2 - 1000 Гц;

3 - 1600 Гц; 4 - 2500 Гц;

5 - 4000 Гц

6 8W 2

dhc/dt.A/c

Зависимости импулвсчото тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока:

1 - 630 Гц; 2 - 1000 Гц;

3 - 1600 Гц; 4 - 2500 Гц;

5 - 4000 Гц

ken А

4dloM.A/c

Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока:

1 - 630 Гц; 2 - 1000 Гц;

3 - 1600 Гц; 4 - 2500 Гц;

5 - 4000 Гц

6-1723

6 8 10 2 ЧЬсШ.А/с

Зависимости импульсного тока в открытом состоянии от скорости нарастания тока:

1 - 630 Гц; 2 - 1000 ц;

3 - 1600 Гц; 4 - 2500 Гц

hcaA

3iiBncHMOCTv импульсного тока в открытом еостолнии от скорости нара-тания тока. 1 - бЭО Гц 2 - 1000 Гц 3 - №00 Гц 4 - 2500 Гц

dIocMA/c

Зависимости импульсного тока в от крытом состоянии от скорости нара стания токсс

1 - 630 Гц 2 - tOOO Гц,

3 - 1600 Гц

Зависимости импульсного тока в от

кротом сосгоянии от скорости нара стания тока 1 - 630 Гц, 2 - fOOO Гц - 1600 Гц

ЧЬсЫАА:

Зависимости импульсною гока в от крь том состоянии От скоросги нара стания тока при температуре окружа ющеи среды +40 С t - 630 Гц 2 - 1000 Г-4 3 - 1600 Гц, 4 - 2500 Гц 5 4000 Гц

6 8W

4k>c/dtAc 6 8 107 2

А/с

Зависимости импульсного гока в ог крытом сое ояник от скорости мара стания токс при leneparype окружающей среды +40 С 1 - 630 Гц 2 - 1000 Гц 3 - 1600 Гц 4 - 2500 Гц

Зависимости импульсного юка в от KpoiroM состоянии от скорости пара стания тока при температуре окружа ющеи среды +40 С

1 - 630 Гц 2 - 1000 Гц

3 - 1600 Гц

3000 2500 2000 1500 1000 500\i

Ш

lli№!l!>i!S

10 10 10 10

Зависимости тока нагрузки в от крьтом состоянии от длитель

(к

ности импульса - ~ ~~

f=0(I) А-=0 5(2)./f= 0 75f3), Л = 1 (4) f = 50 Гц

Зависимости ударного тока ог дли тельности импульса

1 - +25 С 2 - +125 X. (м> = (

Ioc4sp.kA

Зависимости ударного тока а открытом сосгоянии от длительности импульса:

50 Гц; 0= 2; (/о^р = 0,8tW.,;

1 - +25 Х; 2 - +125 X

Oi 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 Ulqpn.-

Зона возможных положений зависимости отпирающего постоянного напряжения управления от тока: А1 - область негарантированного отпирания; А2 - область гарантированного отпирания

18 12 и 1б1чприм1упРи.А

Зоны возможных положений зависимости импульсного напряжения управления от тока:

1 - 0= \, гюстоянный ток, /у и = 2 Вт;

2 - О - 2, = 10 мкс, /у и = 4 Вт;

3 - 0 = 5, = 10 мкс, /у' = 110 Вт;

4 О = 40, = 10 мкс, и = SO Вт

0 1 2 5 i S 6 7 8 9 lMxc

Зависимости отпирающего импульсного тока управления от длительности импульса: 1 -- 1-25 X; 2 - 60 °С; t/jc =12 8

120 110 100

О

10 !упри.А

Зависимости времени задержки (1) и времени включения (2) от импульсного тока управления

i 6 810

4 6 81SUo6P.B

Зависимость времени выключения от обратного напряжения

UO ЮО 90 30

48 60

WO mlocn/loccp %

Эааисимогть щнемени выклкме-нич от импульсного тока а от крытом состоянии

1шя %

10 20 Зв 40 50. idt А/мкс

Зависимость- времени выключения от скоросги спада тока

О 2т т т mdt/sc/dt В/мкс

Зааисимость времеии вьключения от скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии